Фоторезист китайский: Фоторезист из Китая, жидкий лучше пленочного!

Содержание

Китайский гетинакс Kinsten с нанесённым фоторезистом

Сегодня я хочу рассказать вам об ещё одной китайской диковинке. Речь пойдет о гетинаксе с нанесенным фоторезистом. Гетинакс был заказан одновременно с чудо-бумагой для термопереноса на пробу, но до обзора руки долго не доходили.

А сегодня был повод, решил поздравить Игоря (Datagor) с днём рожденья и статейку доделал!

Содержание / Contents

Предметом обзора является гетинакс Kinsten с нанесенным слоем фоторезиста. Упоминание на Датагоре уже было, но впечатлениями так никто и не поделился.
Листы материала Kinsten имеют размер 100х150 мм. Каждый лист со стороны фоторезиста покрыт защитной пленкой, предотвращающей засвечивание. Листы герметично запаяны в фирменную упаковку. До использования лучше так их и хранить.

Китайцы в описании называют это стеклотекстолитом. Я бы сказал, что это не текстолит, а махровый гетинакс с характерными для него нехорошими свойствами: ломается (нельзя резать ножницами по металлу как стеклотекстолит), медь держится хуже — чуть перегреешь и дорожка отвалилась.

Поэтому и в заголовке пишу «гетинакс».

Попытка отрезать привычным способом. Хрум, хрум, дрись… Для первого знакомства я решил засветить небольшой кусочек. Печатаем фотошаблон на лазерном принтере на плёнке для лазерных принтеров. Я не делал никаких улучшаизингов контраста тонера. Но уплотнять тонер любым доступным способом рекомендую, так как это положительным образом сказывается на результате. Можно будет увеличить время экспонирования без боязни пересветить участки под тонером.

Отрезаем небольшой кусочек гетинакса, снимаем защитную пленку.

Кладём в установку для УФ-засветки фоторезиста фотошаблон, а сверху кладём заготовку.

У меня фотошаблон был готовый, поэтому наблюдается такое несоответствие размеров. Для теста нормально.

Ставим время экспонирования на 10 минут, ~~курим бамбук~~. Нет, курить не круто, пойдем лучше помоем посуду! Через 10 минут процесс засвечивания завершился, вынимаем плату и проявляем фоторезист в растворе сантехнического спецсредства типа «Крот».

Берём 30 мл «Крота» на 200 мл холодной воды. Пропорция примерная, на скорость проявки сильно влияет температура воды. Осторожнее! Чем горячее тем быстрее и следовательно менее контролируемо, можно за секунды смыть весь фоторезист. Поэтому я пользуюсь водой комнатной температуры.

У нас всё получилось!

Конечно не будем травить эту недоплату, а попробуем сделать что-то полезное. Печатаем фотошаблон и повторяем процесс набело.

Видны артефакты от слабо контрастного фотошаблона, но для этой платы это не критично.
Травим медь любимым способом с лимонкой. Смыть остатки фоторезиста после травления меди можно в более концентрированном растворе «Крота».
Как я уже говорил, этот гетинакс не любит перегрева дорожек. Облудить паяльником быстро и равномерно получается плохо. Помочь в этом деле может обычная оплетка от экранированного кабеля или специальная оплетка для снятия припоя.

Наносим припой на оплётку, она легко принимает припой, напитывается.

Нашу плату покрываем спирто-канифольным флюсом. Прикладываем к дорожкам оплётку, а на оплётку — жало паяльника. Припой плавится в оплетке и облуживает дорожки. Проходимся этим тандемом по всем дорожкам. В результате получаем равномерную красивую полуду.
Плату я мою аэрозолем CRAMOLINE «FLUX-OFF», он отмывает любой флюс на ура. Но можно применить спирт изопропиловый или даже этиловый, или растворитель «646».

Кому пригодится такой материал?
1) Если у вас есть трудности с нанесением фоторезиста, будь то пленочный или аэрозольный фоторезист. Для первого необходим опыт и оборудование — ламинатор, валик для прокатки. Для второго — проветриваемое помещение, далеко не всегда есть возможность заниматься этим дома.

2) Для изготовления качественных односторонних ПП. Качественных в отношении возможности получения минимальных зазоров и дорожек.

3) Использование заготовок Kinsten уменьшает время на изготовление печатных плат. Для меня это важно, времени у меня как правило катастрофически не хватает.

Спасибо за внимание, желаю успехов в творчестве!

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

🌼 Полезные и проверенные железяки, можно брать

Опробовано в лаборатории редакции или читателями.

%d1%84%d0%be%d1%82%d0%be%d1%80%d0%b5%d0%b7%d0%b8%d1%81%d1%82 — с русского на все языки

Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────Айнский языкАканАлбанскийАлтайскийАрабскийАрагонскийАрмянскийАрумынскийАстурийскийАфрикаансБагобоБаскскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийБурятскийВаллийскийВарайскийВенгерскийВепсскийВерхнелужицкийВьетнамскийГаитянскийГреческийГрузинскийГуараниГэльскийДатскийДолганскийДревнерусский языкИвритИдишИнгушскийИндонезийскийИнупиакИрландскийИсландскийИтальянскийЙорубаКазахскийКарачаевскийКаталанскийКвеньяКечуаКиргизскийКитайскийКлингонскийКомиКомиКорейскийКриКрымскотатарскийКумыкскийКурдскийКхмерскийЛатинскийЛатышскийЛингалаЛитовскийЛюксембургскийМайяМакедонскийМалайскийМаньчжурскийМаориМарийскийМикенскийМокшанскийМонгольскийНауатльНемецкийНидерландскийНогайскийНорвежскийОрокскийОсетинскийОсманскийПалиПапьяментоПенджабскийПерсидскийПольскийПортугальскийРумынский, МолдавскийСанскритСеверносаамскийСербскийСефардскийСилезскийСловацкийСловенскийСуахилиТагальскийТаджикскийТайскийТатарскийТвиТибетскийТофаларскийТувинскийТурецкийТуркменскийУдмурдскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийФарерскийФинскийФранцузскийХиндиХорватскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеркесскийЧерокиЧеченскийЧешскийЧувашскийШайенскогоШведскийШорскийШумерскийЭвенкийскийЭльзасскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЮпийскийЯкутскийЯпонский

Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────АлтайскийАрабскийАрмянскийБаскскийБашкирскийБелорусскийВенгерскийВепсскийВодскийГреческийДатскийИвритИдишИжорскийИнгушскийИндонезийскийИсландскийИтальянскийКазахскийКарачаевскийКитайскийКорейскийКрымскотатарскийКумыкскийЛатинскийЛатышскийЛитовскийМарийскийМокшанскийМонгольскийНемецкийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПерсидскийПольскийПортугальскийСловацкийСловенскийСуахилиТаджикскийТайскийТатарскийТурецкийТуркменскийУдмурдскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрумскийФинскийФранцузскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеченскийЧешскийЧувашскийШведскийШорскийЭвенкийскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЯкутскийЯпонский

Делаем гибкую печатную плату / Хабр

Материал по мотивам методики создания магнитопланарных излучателей для наушников и колонок. Подход имеет широкий спектр применения, не только для создания электроакустических систем. Например, для гибких шлейфов взамен порванных, антенн и прочего, на что хватит воображения и терпения. Один из вариантов использования фоторезистивного метода вместо популярного ЛУТ.

Введение

Все началось с поиска если не идеального, то хорошего звука. В моей предыдущей статье я сделал ссылку на эту разработку и пообещал выпустить эту статью. Сразу хочу поблагодарить сообщество энтузиастов, создающих магнитопланарные излучатели, вдохновивших меня на создание очередного велосипеда. А также запоздалая благодарность к предыдущей статье, вновь за вдохновение, сообществу, занимающемуся созданием ленточных драйверов. Но, однако, вернусь к теме.

Необходимость в тонкой гибкой печатной плате (PCB), коей и является, по сути, магнитопланарная катушка, может возникнуть много где и много у кого. В случае большой серии изделий самым разумным шагом является заказ у крупного производителя, но на более ранних стадиях работы весьма разумно выглядит создание этой платы самостоятельно.

Однако, данное занятие требует весьма значительных вложений сил, денег и времени, так что насчет оптимальности ещё есть о чем поговорить. Мой подход совместим для работы с весьма и весьма тонкими пленками и слоем металла, к тому же имеет весьма большую точность. Правда эта точность по факту ограничивается огромной кучей факторов, с которыми, тем не менее, можно бороться. Теоретически неустранимое ограничение — разрешение фоторезиста, обычные листы которого имеют показатель что-то порядка 50 мкм. Конечно, в гаражных условиях это недостижимая утопия, для показателя хотя бы в 100 мкм нужны условия, приближающиеся к т.н. чистой комнате. По итогу обычно можно получать платы с шириной дорожек порядка 0.3-0.2 мм в условиях достаточно подготовленного места, относительно чистого (никаких котов!) и при наличии всех инструментов.

А в данной методике используется большой набор инструментов. Понадобится.

ЧПУ станок с лазером 405 нм. Я использовал 450 нм, это неверно, но тоже работает (об этом позже). Обязательно использование защитных очков! Мощность — 50 мВт. Важно наличие качественной оптики.
Пленочный фоторезист. Аэрозольный не подходит. Не наткнитесь на просрочку, фоторезист хранится относительно недолго.
Раствор для травления. В случае алюминия — медный купорос достаточной степени очистки, это важно, тот что продается в дачных магазинах, как правило, с большой примесью железного купороса, его можно отличить по более зеленому цвету, он травит сильно хуже. В случае меди всё, что и обычно.
Гидроксид натрия. Щелочь для смывания фоторезиста. Лучше брать чистый, а не в смеси а.к.а. крот. Едкая субстанция, работайте в перчатках.
Фен.
Утюг.
Ровная, чистая, термостойкая поверхность для работы.

Техпроцесс

Фоторезист

Для начала нужно составить топологию и создать программу для ЧПУ. Это весьма важный этап и не стоит его недооценивать. Дело все в том, как лазер индуцирует фоторезист.

Пятно лазера может иметь совершенно разную форму и интенсивность, далекую от идеальной. Здесь важно учитывать особенности вашего лазера. Например, мой китайский лазер имеет отвратительную оптику с огромным пятном фокуса и кривым распределением пучка, так что пришлось импровизировать. Чтобы частично исправить недостаток этой оптики, я сделал следующее — взял лист фольги, сделал в нем аккуратную маленькую дырочку и поставил после выхода лазера. Таким образом удалось получить очень маленькое пятно лазера с относительно равномерным световым потоком. Мой лазер также не подходил по длине волны (450 нм) и мощности (1 Вт), но это я исправил, частично перекрыв поток лазера и снизив мощность на самый минимум.

Чтобы получить максимальное качество засвета, необходимо минимизировать тепловую активацию фоторезиста и паразитный засвет. Тепловая активация фоторезиста снижается путем кратного уменьшения мощности и добавления пары дополнительных проходов.

Паразитную засветку я уменьшил так. Вместо нанесения фоторезиста непосредственно на печатную плату, я взял нужный кусок фоторезиста, под него подложил материал, поглощающий световое излучение (лист бумаги с тремя слоями тонера на нем) и, придавив сверху стеклом, отправил под лазер. Темный материал удаляет большую часть энергии, не позволяя отраженному свету засветить то, что не нужно. Чем лучше этот поглощающий материал, тем точнее и тоньше получается дорожка. Мой вариант с листом бумаги и тонером не идеален, под лазером углерод начинает сам излучать свет, хоть и не в том диапазоне, в котором активируется фоторезист, но частично все-таки пересвечивает. Что же касательно длины волны, как вообще 450 нм могут засветить фоторезист? На самом деле в моем случае активация происходила тепловой, а не световой энергией. Здесь свои особенности и так лучше не делать, а брать лазер точно под фоторезист. Иначе снижается качество границы дорожки и сложнее сделать тонкие промежутки между ними.

И так, на выходе получаем простой лист засвеченного фоторезиста. Строго говоря, он так может храниться в подходящих условиях до истечения срока годности, что оказалось довольно удобно — заготовить засвеченный фоторезист, а потом по мере необходимости использовать.

Подготовка основы

В моем случае использовался алюминий по причине лучшей доступности и простоты и скорости травления. Я брал обычную пленку для запекания, она выдерживает нагрев до 200 градусов, что при последующей пайке играло мне на руку. Кроме того, она достаточно тонкая и неплохо подходила под мои задачи. В вашем случае это может быть что угодно, хоть кусок скотча, хотя пайку он переживает плохо. Можно использовать фольгированные материалы, но иногда это ввиду каких-то требований невозможно или нецелесообразно, и иногда можно делать металлизацию самостоятельно.

В моем случае наносился слой фольги на пленку. Я нашел весьма хороший вариант для себя — УФ клей для модулей смартфонов. Также может подойти клей марки БФ-6.

Удобство УФ клея в том, что он не затвердеет раньше времени и идеально подошел по механическим характеристикам, легко смывается ацетоном. Какой бы вы клей не выбрали, склеиваем по инструкции, делая как можно меньший равномерный слой между диэлектриком и металлом.

Нанесение фоторезиста

Важный и ответственный этап. Он заключается в правильной склейке готового фоторезиста на подготовленную основу. На самом деле это такой же важный этап и для традиционного способа, который подразумевает предварительное нанесение фоторезиста на основу. Крайне важно не допустить мелких пузырей. Это сложно, так что достаем утюг. Он выполняет сразу две задачи — надежную склейку фоторезиста с металлом и, при должной сноровке, поможет выгнать пузыри из слоя между металлом и фоторезистом в слой между фоторезистом и внешней защитной пленкой, где этот пузырек безвреден. Важно не перегревать фоторезист, он может активироваться там, где не надо. Действуем аккуратно и короткими подходами для остывания, разглаживая фоторезист, из центра на края. Лучше всего это делать через слой бумаги, так как фоторезист обязательно проступит из-за краев защитной пленки и начнет клеиться ко всему, что достанет.

Промывание

На самом деле тут всё делается по инструкции к фоторезисту. Просто мешаем щелочь в нужных пропорциях, и ждем растворения не активированного фоторезиста. Это происходит быстро и важно не прозевать. Иначе вообще весь фоторезист отойдет от металла. Если все-таки немного упустили момент и пара дорожек начала отходить, не страшно, не всё потеряно.

Берём фен (можно обычный бытовой) и тщательно просушиваем фоторезист. Просушили, теперь снова тщательно пройдитесь утюгом через ту же бумагу. Здесь уже можно прижимать утюг более тщательно. Это обеспечит хорошее прилипание даже отошедшего фоторезиста. На крайний случай можно заделать пропуски маркером. Обязательно проконтролируйте качество смывания не активированного фоторезиста. После просушки можно повторить смывание.

Травление

Травление производится в соответствии с металлом, нанесенным на подложку. В моем случае травился алюминий с помощью раствора медного купороса. Происходит реакция восстановления меди из раствора с замещением его в сульфате алюминием. Так как алюминий очень хороший восстановитель, травится он очень быстро с выделением большого количества медного порошка, который я рекомендую счищать мягкой щеткой с мелкой щетиной. Температура раствора максимальная, в которой сможете комфортно держать пальцы, порядка 40 градусов. Концентрация раствора медного купороса подбирается по правилу: чем больше, тем лучше, лишь бы полностью растворился. Я размешивал в пропорциях 15 грамм купороса на 150 грамм воды, но можно разводить в пропорциях до 30 грамм на 100 грамм воды, чтобы при остывании раствор не становился перенасыщенным.

На гибкой подложке медь я не травил, однако, имею опыт работы с обычным фольгированным стеклотекстолитом и думаю советы здесь будут излишни, так как весь интернет полон рецептами растворов и методиками и все они вполне рабочие, я лично пользовался раствором лимонной кислоты, перекиси водорода и поваренной соли.

На этом этапе важно выдержать время, чтобы не слишком истончить дорожки. Если передержать, то раствор въестся под фоторезист. Я определял готовность визуально, на пленке у меня осталось небольшое количество частичек алюминия. Научился определять это на глаз. Кроме того, скорость зависит от раствора, время травления вам придется подбирать самостоятельно исходя из качества медного купороса, температуры и толщины материала. Ничего страшного в этих частицах нет — они прекрасно смываются с ацетоном вместе с клеем. Особо стойкие перемычки между дорожками я удалял механически ваткой, или же щеткой с тонкими щетинками. При таких размерах полезно иметь увеличительное стекло, иначе можно просто пропустить перемычку или ещё как-то мусор.

Собственно, после промывки растворителем получается готовая гибкая печатная плата. При желании можно паять (но очень аккуратно и быстро, чтобы не расплавить подложку). Как вариант, не лучший, но всё же можно использовать сплав Розе. Или паять обычным припоем, но очень быстро и точечно.

Послесловие

Почему же я не использовал здесь ЛУТ. Главным образом из-за того, что этот метод очень плохо работает с алюминием. Кроме того, добиться высокой точности с ним тяжелее.

Я получил ширину промежутка между дорожками в среднем порядка 0.27 мм, что для домашних условий весьма неплохо. Особенно если учесть перспективы с более конкретным подходом: с точным замером времени на травление, использованием хороших материалов и подходящего оборудования. В общем, фоторезист подходит для гибких материалов так же хорошо, как и для стеклотекстолита.

UV Laser Exposer – еще один способ изготовления печатных плат дома.

Началась эта история совершенно банально. Искал какую-то штуку в своем хламе и наткнулся на сканер от лазерного принтера, который валялся там уже с десяток лет. Но не тот сканер, что документы сканирует, а тот, что разворачивает луч инфракрасного лазера на печатающий барабан.

Когда-то я в нем уже полазил — вместо инфракрасного лазера там уже был установлен маломощный красный лазер. Что я пытался изобразить тогда — за давностью лет уже и не помню. На фото ниже не мой сканер, у моего другие линзы, но такое же зеркало.

Сейчас же мысль пошла другим путем — а почему бы не поставить туда ультрафиолетовый лазер и не засвечивать им фоторезист на заготовке печатной платы? С другой стороны — не один же я такой ушлый, ~~все уже украдено до нас~~ если это можно — то кто-то уже наверняка это сделал. Гугль сообщил, что пара таких проектов есть и даже работают. Почему-то в основном у немцев.
Ссылка 1
Ссылка 2
Ссылка 3
Ссылка 4
Ссылка 5
В интернете увидел красивую гифку с демонстрацией принципа работы сканера — не смог пройти мимо и не спионерить:

Заказал в Поднебесной лазер на 1ватт 405 нм.

Быстро сказка сказывается, но не скоро посылки из Китая приходят.
В конце концов лазер пришел. Где-то в отзывах прочитал, что там есть вход PWM, но наружу он не выведен. Мне нужно быстрое управление, поэтому без PWM ну совершенно никак.
Вскрытие показало, что надежды юношей питают порой напрасно, входа для меня никто не приготовил.

Для начала измерил входной ток — при 5 вольтах оказалось 320 мА. Больше полутора ватт по потреблению, если КПД преобразователя близко к 100%.
Начинаем разбираться со схемой.

На микросхеме чьи-то заботливые руки сошлифовали название. Зачем? Невооруженным взглядом видно, что это повышающий преобразователь. На выходе у него 7 вольт. Сам лазер запитан от ограничителя тока, ток судя по номиналам, в районе 140 мА. Обычное прямое напряжение на 405 нм лазерном диоде 4.2 вольта, значит, лазеру достается в лучшем случае чуть больше полуватта. Товарищи! В зоопарке тиграм не докладывают мяса! Куда они еще почти ватт дели?

Но тем не менее — если убрать конденсатор C3, можно быстро управлять лазером открывая/закрывая транзистор Q1 — к его базе мы и подключимся.

Оставим пока лазер, займемся зеркалом. Документация на микросхему AN8247SB, на которой реализовано управление двигателем зеркала, к сожалению не нашлась,

но схема соединения блоков для принтера HP6L находится легко, по крайней мере назначение контактов понятно.

Временные диаграммы для аналогичного зеркала тоже нашлись.
F[kHz] RPM TACHO[Hz] N[Fin/Tach]
300 2166 216 692
600 2375 475 1263
900 3605 721 1248
1200 4885 977 1228
1500 5950 1190 1260

1800 6900 1380 1304

Немцы писали, что с теми линзами, что в сканере стоят, работать не будет, потому как длина волны лазеров ну очень разная. Я очень усомнился — ну подумаешь, фокус в сторону уедет. Они оказались правы — просто по разным направлениям фокус уезжает по-разному. Сфокусироваться в точку не удается, только в тире миллиметров 5 длиной.

Остались сущие пустяки — соединить все это вместе и написать программное обеспечение. Берем дешевую платку на базе STM32F103 и соединяем согласно схемке.

Не забываем, что развертка у нас только по одной координате, чтобы получить вторую — делаем трей для заготовки, который будет двигаться шаговым мотором — так что драйвер надо не забыть.

Коробочку и механику рисуем в древнем SketchUp который, как ~~завещал~~ обещал ~~великий~~ Google будет всегда бесплатным даже для коммерческих применений. Правда, тот, кому этот SketchUp потом продали, ничего подобного не обещал.

Ну и нужно как-то картинку преобразовать в удобоваримый для микроконтроллера вид — этим у нас займется программа на Питоне.

Пробуем написать буквочки на фоторезисте, чтобы проверить концепцию — что-то даже получилось!

Надо сказать, что одна из самых сложных вещей в этом проекте — компенсация нелинейностей. На всю шкалу так и не получилось линеаризовать, терпения не хватило. Ограничился 10 сантиметрами, дальше ошибка может быть до 5-10%. Но дальше — это не так много, вместо 12 сантиметров 10 — для теста вполне хватит.

Теперь неплохо бы сделать реальную плату. Плату управления для этой штуковины и попробуем сделать. Проводники 0.25 мм, зазоры 0.2мм. Схема дублирует предыдущую и выглядит так:

Вид на плату:

Примазываем ламинатором фоторезист на стеклотекстолит, пробуем печатать.

Выглядит многообещающе.

Проявляем и смотрим в случайно оказавшийся в загашнике USB микроскоп.

Да, платы явно плохо обезжирены перед нанесением фоторезиста — куски разводки исчезли.

Смываем фоторезист, наносим по новой, проявляем — разочарование. Фоторезист между близко идущими проводниками не смылся. (500 циклов засветки на линию, расстояние между линиями 50 микрон.)

Может, переэкспозиция? Снова смываем, наносим по новой, печатаем с два раза меньшей экспозицией — результат тот же. (250 циклов на линию.)

Возможно, что причина банальна — мне просто не удалось сфокусировать лазер до точки хотя бы 0.05 мм — это разрешающая способность экспозера. В итоге видно, что печатать можно с шириной проводника и зазором только 0.5мм. То есть минимальный шаг ног микросхемы 1.27 или в лучшем случае 0.8мм.

Это фиаско.
Когда я был помоложе и здоровее, с помощью лазерного утюга у меня спокойно получалось делать платы для микросхем с шагом 0.5мм. Но времена уже не те— народ с такой атаксией, как у меня, в ~~дурке~~ неврологии пластилин мнет, чтобы как-то моторные навыки восстановить.

В лазерном принтере 2 линзы стоят, а у меня одна — видимо, тут собака и порылась. Надо думать дальше.

С другой стороны, вроде бы цилиндрическая линза работает в паре с F-Theta линзой.
Впору открывать учебник физики за 8-й класс и вспоминать геометрическую оптику.
Тем не менее, продолжим эксперименты. Уже плюнув на конечный результат и наклеивая фоторезист абы как.
100 циклов на линию — явное недоэкспонирование:

Кстати, а зачем нам верхняя пленка? Скрипач не нужен 🙂
Увеличиваем экспонирование до 160 циклов на линию, без верхней пленки.
К сожалению фотографию сделал уже после того, как перепроявил, часть линий облезла, часть подтравилась.

Если кто захочет советом помочь — исходные данные: фоторезист достаточно старый, заказан был на Али еще 31 мая 2018 года, хранился в темноте. Проявлял кальцинированной содой.
Похоже, еще что-то можно исправить с более свежим или более качественным резистом и процессом проявления.

Зачем все это делалось? Ну, во-первых, мы, бояре, народ работящий! Такая уж наша боярская доля ©. Нет, пожалуй это получше будет: чем бы дитё не тешилось — лишь бы водку не пило. Ну а если совсем серьезно — есть у нашей конторы контракты на разработку электроники — работаем. Нет — извращениями ~~страдаем~~ наслаждаемся. А сейчас работы нет 🙁 — довольствуемся пенсией и развлекаемся, как умеем.

Вместо старотрадиционных кошечек. Вот такие зверюги пасутся на газоне во дворе дома по ~~улице~~ переулку имени ~~Ленина~~ Ушастой Совы.

Нужны кому-то исходники или нет — не знаю. Тут возможности выложить нет, на файлообменниках ссылки быстро стухнут. Поэтому — кому надо — пишите. Хотя программное обеспечение под эту сборную солянку из запчастей, выдранных из HP LaserJet, Lexmark и ископаемого струйного Epson придется сильно редактировать под свои нужды.

Коллекция, полупроводник Некорое термин Китайский и английский контроль

Многие связанные технические условия выражены на английском языке. И поскольку многие практикующие имеют зарубежные впечатления, или они используются для выражения узлов процессов и технологий, связанные с английскими выражениями, многие сроки английского переводятся на китайский, многие люди не могут наблюдаться, или не знают, как перевести. Здесь мы организуем некоторые китайские и английские версии некоторых распространенных полупроводников, я надеюсь помочь всем. Если есть ошибка, пожалуйста, помогите исправить, спасибо!

Общий полупроводник на китайском и английском столе сравнения

Ионный инъекционный машин ионный урок

Линда Шарфф и теория Schiott,Также известен как «Теория государства штата Линна Скати».

Эффект канала эффекта

Распространение распределения распределения распределения

Распределение глубины глубокого распределения

Проекционный диапазон прогнозируемый диапазон

Блок остановки расстояния

Блокировка остановки питания

Стандартный блок Стандартная остановка поперечного сечения

Отжиг отжига

Активировать энергию активации

Изотермический отжиг

Лазерный отжиг лазерный отжиг

Стресс индукцион дефект, вызванный напряжением дефект

Предпочтительная ориентация

Технология процесса маски пластины

Дистанция шаблона графического искажения

Первая усадка первая замиление

Окончательная замиление Jing

Мастер Мастер Маска

Хрома версия хромовой пластины

Сухая версия сухая пластина

Латексная эмульсионная пластина

Прозрачная версия прозрачного пластины

Версия высокого разрешения высокая разрешение, HRP

Ультрафильная сухая версия пластины для ультрамиинструкции

Маска маски

Выравнивание маски выравнивания маски

Точность выравнивания

Фоторезист фоторезист,Также известный как «фоторезист».

Отрицательный фоторезист отрицательный фоторезист

Положительный фоторезист Положительный фоторезист

Неорганический светодиодный неорганический сопротивление

Многослойный фоторезист многоуровневый сопротивление

Электронная балка покраска электронного пучка сопротивления

Рентгеновский фоторезист рентгеновский рентген

Кисть очистки

Спящая спиннинг

Упакованное фоторезистное покрытие

Почтовая почта

Фотолитография фотолитография

Рентгеновская литография рентгеновская литография

Электронные балки электронные луча литографии

Ионный букет ионный пучок литографии

Глубокая УФ Литография Глубокая УФ Литография

Фотолитография маска выравнивателя

Выравниватель проекционной машины

Воздействие экспозиции

Способ экспозиции контакта контактный метод экспозиции

Рядом с методом экспозиции методом проксимации метода воздействия

Оптическая проекция метод воздействия оптической проекции

Электронная пучка экспозиции системы электронного пучка Экспозиция

Система шага и повторения системы шага и повтора

Разработка событий

Строка ширины линии

Оглядывая зачистка фоторезиста

Окисление руля фоторезиста путем окисления

Плазма [Тело] Резиновое удаление фоторезиста плазмой

Травление травления

Сухое травление сухого травления

Реакция ионная травление Реактивное ионное травление, RIE

Изотропное травление

Анизотрофет травление анизотропное травление

Реактивное распыление травления реактивного распыления травления

Ионные фрезерные ионные лучевые фрезеры,Также известен как «ионное измельчение».

Плазма [тело] травление плазмы плазмы

Бурение подрезывания

Технология отсрочки технологииТакже известный как «плавающий процесс».

Конечная точка конечной точки конечной точки

Металлическая металлизация

Соединение взаимосвязанности

Многослойная металлизация многоуровневой металлизации

Электромагнитные электромиграционные электромиграции

ОТМУЧНОЕ ОТМУСТЬ

Фосфосиликатный стекло фосфоросиликатный стекло

Борфосфорический силицидный борфосфоросиликатный стекло

Технология пассивации технологии пассивации

Многослойный средний пассивация многослойная диэлектрическая пассивация

Смешанный писатель

Электронный лучевой ломтик

Спекание спекания

Печать вдавливания

Горячая сварка Термоспрессии склеивания

Горячая ультразвуковая сварка термосоническая связь

Холодная сварка холодной сварки

Сварка точечной сварки

Связывание шарика для пайки

Клин сварочный клин склеивание

Внутренняя свинцовая сварка внутренней свинцовой склеивания

Внешняя свинцовая сварочная внешняя свина

Луч ведущий луч

Технология монтажа на монтаже

Адгезия адгезии

Упаковка упаковки

Металлическая упаковка металлическая упаковка

Керамическая упаковка керамическая упаковка

Плоская упаковка плоская упаковка

Пластиковая пластиковая упаковка

Стеклянная упаковка GLAS Упаковка

Микропечатная микропарка,Также известен как «микроадресская».

Упаковка

Умереть

Свинцовая связь

Ведущая рама Бонда свинцовая рамка

Лента автоматизированная склеивание, вкладка

Лазерная облигация лазерная связь

Ультразвуковая связь Ультраоснатная связь

Инфракрасная связь инфракрасная связь

Словарь микроэлектроника Словарь

(Сортировать по заказу)

Крутая мутация соединения

Ускоренное эксперимент по ускорению тестирования

Акцептор

Акцептор атома

Накопление накопления, накопление

Накапливая контактное накопление

Область накопления области накопления

Накопление слоя накопления

Активная область активной области

Активные компонентные активные элементы

Активное устройство активного устройства

Активация активации

Активация активации энергии

Активная область Advanced (Zoom) область

Допуск

Разрешенная полоса

Alloy-junction device

Алюминий татуировки сплава (алюминий)

Алюминиевый — оксидный оксид алюминия

Алюминиевая пассивация алюминиевая пассивация

Амбиполярный биполяр

Температура окружающей среды температура окружающей среды

Аморфный аморфный, некристаллический

Усилитель усилителя усилителя усилитель

Аналоговый (аналоговый) компаратор аналоговый компаратор Angstrom

Отжиг отжига

Анизотропный анизотропный

Анодный анод

Арсеник (как) мышьяки

Шнек русский

Процесс шнека русский процесс

Лавина лавина

Лавина пробоя лома на лавин

Лавина возбуждения лавина

Фоновый носитель Этот нижний носитель

Фон допинга

Обратно

Обратная смещение обратная смещение

Устойчивость резистого резистора

Шариковая связь сферическая связь

Группа

Разрыв полосы может с разрывом

Барьерный барьер

Барьерный уровень барьера

Ширина барьера ширины

Базовая база

Базовый контакт Фонда

Эффект расширения страны растяжения

Базовое транзитное время большой район Тур

Коэффициент повышения эффективности транспорта

Модуляция базовой модуляции базовой ширины

Основа вектора

Смещение смещения

Двусторонний переключатель двунаправленный выключатель

Двоичный код двоичного кода

Двоичное соединение полупроводниковое двойное соединение полупроводника

Биполярный биполярный

Биполярный соединительный транзистор (BJT) Биполярный транзистор

Блох Брох

Блокировка полосы блокировки

Блокировка блокировки контактов

Кубик тела

Кубическая структура

Bultzmann Portzman.

Кнопка связи, облигация

Склеивание электрона цена электроники

Ключная точка соединения

Загрузочная цепь загрузки цепи

Загрузочный эмиттер последователь самостоятельного повышения

Бор бор

Боросиликатное стекло боросиликат

Граничное условие граничного состояния

Связанная электронная электроника

Доска для моделирования макета, экспериментальная доска

Разбить поломку

Перерываться

Brillouin Brillou

Бриллоуинская зона Брилен район

Встроенный встроенный

Настройка электрического поля Внутреннее электрическое поле

Массовое поглощение кузова / тела

Массовое поколение генерации тела

Объемный рекомбинационный корпус композита

Сжечь — в старении

Сожги ожоги

Похороненный канал

Похороненная диффузия ужасна

Может жилье

Емкостный конденсатор

Захват поперечное сечение поперечного сечения

Захватить захват носителя

Перевозчик, Перевозчик

Нести бит

Входной ввод

Выполнение вывода

Каскадный каскад

Корпус корпуса

Катодный катод

Центр Центра

Керамическая керамика ()

Канал канала

Траншею пробоя канала

Текущий канал тока

Канал допинг канала допинг

Сокращение канала сокращение канала

Ширина канала ширина канала

Характерный импеданс Функциональный импеданс

Заряд зарядки, зарядки

Эффекты воздействия на компенсацию заряда

Зарядные заряды

Условия состояния нейтралитета заряда

Зарядный привод / обмен / обмен / обмен / передача / хранение / выключатель / акция / передача / хранение

Химическая травление химической коррозии

Химически полировальная химическая полировка

Химично механически польский (CMP) Chemical Machinery Polishing Chip Chip

Чип выходов чип, но ставка

Зажатый зажим

Зажимной диодный зажим диод

Трудности самолета расщепления

Часовая частота тактовой частоты

Генератор часов генератора

Часы с часами с флип-флопами

Близнечная структура плотной структуры

Закрытый усиление замкнутой петли

Коллекционер коллекционер

Столкновение столкновения

Компенсация компенсации OP-AMP

Обычная база / коллекционер / код соединения излучателя / сбрать / эмитта

Common-Gate / Drint / Source Connection Mistrate / Утечка / Соединение источника

Common-Mode Gain Common Mode Gain

Обычный входной вход общий ввод режима

Соотношение общего режима отклонения (CMRR) Соотношение общих режимов

Совместимость совместимости

Компенсация компенсации

Конкурентные примеси компенсация примеси

Компенсированный полупроводник компенсирует полупроводник

Дополнительный дополнение к съемочной цепи Далинтона

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)

Дополнительный металлический оксид полупроводниковый полевой эффект транзистора

Дополнительная функция ошибок функция ошибки

Компьютерный дизайн (CAD) / тест (CAT) / производство (CAM) компьютерный дизайн / тест / тест /

Создавать

Соединение полупроводникового слоя полупроводника

Проводимость проводимости

Состояние полосы проводимости (край) (снизу)

Уровень проводимости / состояние состояния

Проводник дирижера

Проводимость проводимости

Конфигурация конфигурации

Conlomb Coulob.

Конфигурация устройств конфигурации Conpld Конфигурация

Константы физические константы

Постоянная энергия поверхности и т. Д.

Диффузия диффузии постоянного источника

Контактный контакт

Загрязнение

Уравнение непрерывности уравнения непрерывности

Контактное отверстие Контактное отверстие

Как связаться с потенциальным контактным потенциалом

Условия непрерывности непрерывности

Contra допинг

Контролируемый контролируется

Конвертер преобразователь

Транспортер передатчик

Медная система взаимосвязи Медная соединительная система

Соединение купонии

Ковалентный

Кроссовер кросс

Критический критический

Пересекать

Тигливый тигель

Кристалл дефект / лицо / ориентация / решетка кристаллический дефект / кристалл / кристалл / кристалл

Сетка

Текущая плотность плотности тока

Кривизна кривизны

Отключить

Текущий дрифт / DRIVE / Sharing текущий дрифт / Drive / Sharing

Текущий смысл текущий образец

Изгиб кривизны

Индивидуальная интегрированная цепь настраиваемая интегральная схема

Цилиндрический цилиндрический

Czochralshicrystal вертикальный монокристалл

CZOCHRALSKI TECHINE CCRASKM (метод CZ прямой хрусталь J)

Висячие облигации подвески

Темный ток темный ток

Мертвое время

Дебая длина Деби

Де.Бругли Дебро

Снижение повторного отклонения

Децибел (дБ) децибел

Декодирование декодирования

Уровень глубокого акцептора глубоко субъективный

Уровень глубокого донора глубокий

Глубина глубокого уровня примеси глубина элементарной гетерогенности

Глубокая ловушка глубокая ловушка

Дефект поражения

Вырожденный полупроводник вырожденная полупроводник

Дегенерация дегенерации

Деградация деградации

Степень Цельсия (Цельсия) / Кельвин Цельсия

Плотность плотности задержки задержки

Плотность состояний

Истощение истощения

Истощение приближения обедненного приближения

Истощение контакта исчерпано

Глубина истощения исчерпана глубина

Истощение эффекта диффузного эффекта

Истощение слоя истощенного слоя

Истощение MOS историла MOS

Истощение области истощенной области

Нанесенный фильм нанесенный фильм

Процесс осаждения процесса осаждения

Правила дизайна правил дизайна

Чип мелки (несколько кубиков)

Диодный диод

Диэлектрический диэлектрик

Диэлектрическая изоляция средней изоляции

Разноразъемный входной дифференциальный ввод

Дифференциальный усилитель дифференциала усилителя

Дифференциальный конденсатор дифференциала емкости

Диффузия рассеянного соединения

Распространение диффузии

Коэффициент диффузии коэффициента диффузии

Диффузионная постоянная диффузия

Диффузионная скорость диффузии

Диффузионная емкость / барьер / ток / для печи диффузионная емкость / барьер / ток / печь

Цифровая цепь цифровой цепи

Дипольный домен диполь

Дипольный слой дипольного слоя

Прямая сцепление с прямой муфтой

Прямой зазорный полупроводник прямой полосы зазора полупроводника

Прямой переход Прямой переход

Разрядный разряд

Дискретные компонентные дискретные компоненты

Рассеивание рассеивания

Распределение распределения

Распределенный емкости распределенный конденсатор

Распределенная модель распределения модели

Смещение смещения смещения

Донр домен осел

Донор доноров исчерпан

ДОПАНТ ДОПАНТА

Легированный полупроводник легированного полупроводника

Допинговая концентрация концентрации легирования

Двойной диффузной MOS (DMOS) Double Diffuse MOS.

Дрейфовое дрейфующее дрейфующее поле дрейфующего электрического поля

Дрифт мобильности подвижности

Сухая травление коррозии пород

Сухое / мокрое окисление сухое / мокрое окисление

Доза доза

Рабочий цикл рабочего цикла

Пакет Dual-in-Line (Dip) Пакет Double-Column вставки

Динамика динамики

Динамические характеристики Динамические свойства

Динамический импеданс динамический импеданс

Эффект раннего эффекта Эверли

Ранняя неудача ранняя неудача

Эффективное массовое эффективное качество

Соотношение Эйнштейна (корабль) Эйнштейн

Electric Erase Программируемая память только для чтения (E2PROM) Одноразовая память только для чтения

Электродный электрод

Миграция электроминггратима

Электронное сродство электронного аффинности

Электронная электронная электронная энергия

Электронно-лучевые фотообеспечение Экспозиция Электронная куча фоторезистского воздействия

Электронный газовый электронный

Электронно-классная вода электронная чистая вода

Электронный центр захвата электронного центра захвата

Электрон вольт (EV)

Электростатический статический

Элемент элемента / компоненты / аксессуары

Элементный полупроводниковый элемент полупроводника

Эллипс Эллипс

Эллипсоидный эллипсоид

Излучатель эмиттера

Логическая логическая логика из эмиттера

Соединенный излучатель пары эмитта Polar Coupler

Последутель эмиттера

Пустая группа

Эмиттер Curding Effecting Extremites Extreme Collection (Congertion) эффект

Тест на выносливость = тест на жизнь

Энергетическая государственная энергия

Энергетическая импульсная диаграмма энергии — мотивация (E-K)

Улучшенный режим улучшения режима

Улучшение улучшения MOS

Мос Enefic (низкий)

Тест окружающей среды экологической тестирования

Эпитаксиальное расширение

Наружное расширение эпитаксиального слоя

Эпитаксиальный кусочек Extepid

Расширение экскасактики

Эквивалентный контур эквивалентной цепи

Уравновешивание большинства / меньшинств сбалансированные большинство / небольшая серия

Стираемое программируемое ROM (EPROM) доступно (программирование) память

Функция ошибки Функция прорыва

Этч Этч.

Etchechn Etch.

Травление маски противостоять маску

Избыток перевозчика

Возбуждение энергии возбуждения

Возбужденное государственное состояние возбуждения

Экситонный экситон

Экстраполяция

Внешнее необычное

Внешний полупроводниковый полупроводник полупроводника

Лицо — центрированный кубик лица

Время падения

Вентилятор

Быстрое восстановление восстановления

Быстрые состояния поверхности быстро

Обратная связь с обратной связью

Уровень Ферми Уровень Ферми

Распространение Fermi-Dirac Fermi Direac Direct

FEMI потенциал Ферми

Уравнение Фика PHI-уравнение (диффузия)

Полевой эффект транзисторной области эффект транзистора

Полевой оксидный оксидный слой оксида

Заполненная полоса

Кинопленка

Флэш-память сцинтилляционной памяти

Плоская полоса

Плоский пакет плоский пакет

Мишень мерцания шума (изменение) шум

Flip-Flop Trggle Trigger Flip

Плавающие ворота плавающие ворота

Фторидное фторидное фтора

Запретная плата запрещена

Передняя смещение вперед

Передняя блокировка / проведение положительных блокировков / тонг

Частота отклонения частоты частоты дрейфа

Частота отклика частоты

Функция функции

Получение усиления галлия-арсенида (GaAs) ореонид калия

Gamy Ray R-Ray

Дверь ворот, ворота, контроль

Слой оксида ворот оксида ворота

Гаусс (Ян) Гаусс

Гауссовский профиль распределения Gauss Doped Distribate

Генерация генерации-рекомбинации — композит

Геометрические геометрические размеры

Германий (GE)

Градус

Градированный (постепенный) канал канала

Градированный соединение

Зерновые зерна

Градиентный градиент

Выросший узел роста соединения

Охранное кольцо защитное кольцо

Модель gummel-poom модель geng pan

Ганн — эффект ди-эффект

Ужелиненное устройство радиационного усиления

Тепло формирования

Радиатор радиатора, горячая раковина

Тяжелая / легкая полоса отверстия / ленты

Тяжелое насыщение

Адский — эффект эффекта

Гетеропереходный гетерогенный узел

Гетеропереходная структура Гетерогенная структура

Гетеропереходный биполярный транзистор (HBT) Гетерогенный биполярный кристалл

High Field Property High Полевые характеристики

Высокопроизводительный MOS. (H-MOS) Высокая производительность

МОС. Хормализованная нормализация

Горизонтальный эпитаксиальный реактор горизонтальный эпитаксиальный реактор

Горячая корреорная горячая серия

Гибридная интеграция смешанная интеграция

Изображение — Force Mirror

Ионизация ионизации ударных ионизации

Импеданс импеданс

Несовершенная структура неполной структурой

Доза имплантации дозы дозы

Имплантированные ионные ионы впрыска

Примесные примеси

Разброс на рассеяние примес

Увеличение резистора по инкрементному сопротивлению (дифференциальное сопротивление)

Маска для контактных масок

Оксид индий женского оксида (ITO) оксид индия

Индуцированный канал индукционного канала

Инфракрасный инфракрасный

Инъекционная инъекция

Напряжение ввода смещения Введите недодача напряжения

Изолятор Изолятор

Изолируйте ворота Фета (IGFET) Изолированные ворота

Фет интегрированная впрыска логика встроенная логика впрыска

Интеграция интеграции, интеграл

Соединение взаимосвязанности

Включение временной задержки межсоединения

Интерактивная структура интерактивной структуры

Интерфейсный интерфейс

Интерференция помех

Международная система интернациональной единичной системы профсоюзов

Межого замка рассеяния

Интерполяция интерполяции

Символ

Внутренний полупроводник

Обратная работа в обратной работе

Инверсия обратный тип

Инвертор инвертора

Ионный ион

Ионный пучок ионный луч

Ионное травление ионный травление

Ионный имплантационный ионный инъекция

Ионизационная ионизация

Ионизация энергии ионизации энергии

Облучение облучения

Изоляция земля изолированных остров

Изоотропный изотропный

Джентрационный фет (JFET) Объединенная пробка

Переходная изоляция соединения

Узвучный пакет развязки

Стена соединения

Закрыть блок

Боковой

Решетка решетка

Расположение макета

Связывание решетки / ячейки / константа / дефект / искажение решетки BONDICE / PM / решетка / решетка Changshu

/ Дефект решетки / искажение решетки

Утечка тока утечки тока

Уровень переключения уровня мобильный

Жизнь срока жизни

Линейность линейности

Связанная облигация ковалентных отверстий

Жидкий азотный жидкий азот

Технология жидкого фазового эпитаксиального роста Техника жидкого этилена Усилитель

Литография литография

Светодиодный диод (светодиод) светодиод

Линия нагрузки или переменная нагрузка

Расположение и проводка проводки

Продольный портрет

Логика качание логические качели

Лоренц Луозиз

Комплект модельной модели

Большинство большинства носителей

Маска Маска Тарел, фотолитография

Маска Маска Маска Серийный номер

Маска набор маски Группа

Масса — Действие Закон о качестве консервации качества

Master-Plave D Flip-Flop Master от D Triggers

Соответствующие спички

Максвелл Максвелл

Среднее свободное от среднего свободного пути

БАЗЫ МАТЕРИАЛЬНЫЙ РАЗДЕЛ

Среднее время до отказа (MTBF) среднего рабочего времени

Megeto — устойчивость к магнитной стойкости

Mesa Countertop

Mesfet-Metal полупроводниковый металл полупроводниковый фет

Металлизация металлизации

Микроэлектронная техника MicroeLectronics Технология

Микроэлектроника Микроэлектроника

Millen Indections Miller Index

Маленький носитель меньшинства

Несоответствие несоответствия

Мобильные ионы подвижного иона

Мобильность мобильности

Модуль модуля

Модуляция модуляции

Молекулярный кристалл молекулярный кристалл

Монолитный IC односмышечный IC MOSFET Metal оксид полупроводниковой области эффект эффекта транзистора

Мос. Транзистор (большинство) Мос. Транзистор

Умновидение умножено

Модулятор модуляции

Многоклассный IC Multi-Chip IC

Многоклатный модуль Multi-Chip модуль

Коэффициент умножения коэффициента умножения

Голый чип распакованный чип (умереть)

Отрицательная обратная связь отрицательная обратная связь

Негативное сопротивление сопротивления

Гнездо

Негативно-температурный коэффициент отрицательного температуры коэффициента

Шум шума шума

Неравновесное неравновесное

Нерастворимый неретильный (летучий)

Обычно выключен / на нормально закрытом / открытом

Численный анализ числового анализа

Оккупированная группа

Officienay Power.

Смещение смещения, расстройства

На стоянке в режиме ожидания

Омический контакт OM CONTACT

Открытая цепь открыта

Рабочая точка операционной точки

Рабочий комбинезон компенсации

Операционный усилитель (OPAMP) Операционный усилитель

Оптический фотон = Фотон Фотографии

Оптический закал

Трансмиссия оптического перехода

Optical-связанный изолятор оптопар

Органический полупроводниковый органический полупроводник

Ориентация кристалл, ориентация

Обратный профиль

Неудачная маска без контактной маски

Выходные характеристические характеристики вывода

Выходное напряжение качели вывод

Чрезмерное соглашение о компенсации

Защита над токовой защитой от чрезвычайной точке

Над выстрелом за пределы

Защита от перенапряжения защиты от напряжения

Перекрытие перекрытия

Перегрузка перегрузки

Осциллятор генератор

Оксид оксида

Окисление окисления

Оксидная пассивация окисления секции пассивации

Пакет пакета

Балласт

Параметры параметров

Паразитарный эффект Палантрический эффект

Паразитарные колебания паразитарные колебания

Пассивация пассивации

Пассивные компоненты пассивные компоненты

Пассивное устройство пассивное устройство

Интерфейс пассивации пассивной поверхности

Паразитический транзистор паразитарный транзистор

Пиковое напряжение пикового точка напряжение

Пиковое напряжение напряжения напряжение

Час постоянного хранения. Час постоянного хранения

Цикл периода

Периодическая таблица периодической таблицы

Проницаемая — базовая проницаемая база

Phase-Lock Loop Polase кольцо

Фазовый дрифт фазовый сдвиг

Фононные спектры фонор

Фото проводимости оптоэлектрон

Фото диодный фотодиод

Фотоэлектрическая клеточная батарея

Фотоэлектрический эффект Фотоэлектрический эффект

Фотофенальные устройства фотоновые устройства

Фотоолитографический процесс

(Фото) сопротивляться (светочувствительный) антикоррозийный агент

ПИН-булавка

Сжать с зажима

Пиннинг Ферми Уровень Ферми — Уровень пригвожденного (эффект)

Плоский процесс плоский процесс

Планарный транзистор транзистора транзистора

Плазменная плазма

Плезоэлектрический эффект пьезоэлектрический эффект

Уравнение Пуассона Уравнение Пуассона

Точечный контакт контакт

Полярность полярности

Polycrystal Polycrystalline.

Полимер полупроводниковый полимер полупроводниковый

Поли-кремниевый полисиликон

Потенциальный (электрический) потенциал

Потенциальный барьерный барьер

Потенциал хорошо потенциал

Энергопотребление диссипации питания

Силовой транзисторный транзистор

Предусилитель предварительного усилителя

Основной плоский основной самолет

Основные оси шпинделя

Печатная плата печати (печатная плата)

Вероятность

Зонд зонда

Процесс процесса

Задержка передачи задержки распространения

Псевдопотенциальный метод

Пробиваться

Импульсный импульсный / модулирующий импульсный импульс / пульс модуляции

Ширина модулятора (PWM) Модуляция ширины импульса

Предательство

Push-Tulk Stage Push-Thing

Фактор качества фактора качества

Квантование квантования

Квантовый квант

Квантовый эффект эффекта

Квантовая механика квантовой механики

Quai — Fermi-Level Piyuan

Кварцевый кварц

Радиационная проводимость радиационной проводимости

Ущерб радиационным повреждением

Плотность радиации плотность флюса радианта

Радиационное упрочнение радиационной арматуры

Охрана радиационной защиты

Радиационная — рекомбинационная облучение композита

Радиоактивная радиоактивность

Добраться до

Источник распыления исходного распыления реактивной распыления

Читайте диодный рид диод

Композиция рекомбинации

Восстановление диода восстановления диода

Взаимная решетка налейте

Время восстановления времени восстановления

Выпрямитель выпрямитель (трубка)

Выпрямительная ректификация контакта

Справочная контрольная контрольная точка

Показатель преломления преломления

Регистрация Регистрация

Регистрация

Регулировать регулировку управления

Срок службы релаксации

Надежность надежности

Резонанс резонанса

Сопротивление сопротивления

Резистор резистора

Удельное сопротивление сопротивления

Регулятор регулятор (инструмент)

Релаксация

Резонансная частота Киротики

Время ответа

Обратное обратное

Обратная смещение обратного смещения

Схема дискретизации схемы отбора проб

Сапфир Сапфир (AL2O3)

Спутниковая долина спутниковая долина

Насыщенный диапазон тока Текущая область насыщения

Зона насыщения областей насыщения

Сатация насыщенность

Скарился уменьшается

Рассеяние рассеяния

Диод Schockley Diode Xiaoklai

Шотток Шотток

Шоттокки Барьер Шоттокки Барьер

Shottky Contact Shottky

Schrodingen Schrödinger.

Нарисовал сетку

Вторичная плоская плоская плоскость

Семена кристалл семян кристалл

Сегрегация

Селективность селективности

Самооценка самооценки

Самодиффузионная самораспространение

Полупроводниковый полупроводник

Тиристор, управляемый полупроводником

Чувствительность SendSitivity

Серийный серийный / серия

Индуктивность серии Inductanca

Время успокоиться

Устойчивость к листам тонкий слой сопротивления

Щит щита

Короткое замыкание короткого замыкания

Шум шума шума

Увеличение шунта

Sidewall capacitance

Краевая стена емкостный сигнал сигнала

Кварцевые очки кварцевые силика

Силиконовый кремния

Карбид кремниевого карбида кремния

Силиконовый диоксид (SiO2) кремнезем

Нитрид кремния (Si3n4) нитрид кремния

Силикон на изоляционный кремний изоляции

Силвер усы

Простая кубика

Монокристаллический монокристалл

Раковина

Эффект кожи эффект кожи

Снимок времени

Skeak Pails Snek Pathway

Sulethreshold подпункта

Солнечная батарея / Солнечная батарея

Сплошная цепная твердая цепь

Сплошное растворимость твердый раствор

Sonband поддиапазон

Sour Source.

Источник источника источника

Космический заряд

Специфическое хоте (PT)

Скоростная мощность скорости продукта мощность выровненная сферическая сфера

Спин разделить раскол

Спонтанный эмиссионный спонтанный запуск

Распространение устойчивых резисторов

Распыление распыления укладки ошибки слоя неисправностей

Статические характеристические статические характеристики

Активирована стимулированная эмиссия

Стимулированная рекомбинация

Время хранения времени хранения

Стресс стресса

Отряда отклонение

Сублимационная сублимация

Субстратная подложка

Подстановочное вещество

Суперрешетка сверхрешетка

Поверхность поверхности питания

Способность разрыва потенциала

Индекс индекса

Время переключения времени переключения

Переключатель коммутатора

Удлинение хвоста

Терминальный терминал

Tensor Zhang Tensorial Чжан

Тепловая активация термически возбуждается

Теплопроводность теплопроводности

Тепловой равновесие

Термическое окисление термическое окисление

Тепловое сопротивление термического сопротивления

Термальная раковина горячая

Тепловая скорость Горячие виды спорта

Термоэлектрическая рациональная разность температуры электрическое движение

Техника толстого пленки Толстая пленочная технология

Тонкопленочный гибридный IC пленка смешанная встроенная схема

Тонкопленочный транзистор (TFT) тонкий кристалл пленки

Порог порогов

Тисистор Тиристор

Трангибопровод с перекрестным направлением

Транссы характерные характеристики передачи

Передача электронов передачи электроники

Функция передачи функции Переходный преходящий преходящий

Транзистор старение (стресс) транзистор

Время пробега

Переход перехода

Металлический диоксид кремния с переходом металлический металлический

Переход вероятностей перехода

Переходная зона переходной области

Поперечный транспорт поперечный ландшафт

Ловушки ловушки захватывают захват

Захваченный заряд заряда

Треугольник генератор треугольной волновой генератор

Трение трибуля

Триггер срабатывает

Регулировка распределения обрезки

Тройная диффузия тройной диффузии

Таблица таблицы правды

Толерал-толерантность

Туннель (ING) туннель (ношение)

Туннель тока тока туннеля

Перевернуть поворот

Время отключения

Ультрафиолетовый ультрафиолетовый

Unijunction Single.

Униполярная монополь

Оригинал элементарной ячейки (юань)

Частота усиления частоты усиления единства

Односторонний переключатель односторонний переключатель

Вакансий вакансии вакуум

Валентность (стоимость) цена полосы с ценной группой

Валентная цена облигаций ключевой паровой фазы Vaverial

Вариатор различной варисторной переменной структуры

Вибрационное вокальное напряжение напряжения

Вафельная вафля

Волновое уравнение волнового уравнения

Волна направляющая волноводов

Цифровое число волны

Дуальность волновой частицы Дуальности

Износ ожогов

Проводная проводка

Функция работы функция работы

Худшее устройство худшего устройства

Доходность готовой скорости

Половина Zener Crosud Zener

Зона тает район таяния

1.Где шанс China Ai Chip? Пожалуйста, имейте в виду три очка

2.Модуль Linux Framework

3.Intel или в сочетании с CPU + GPU + FPGA участвует в конкурсе AI!

4.Структура программного обеспечения очень важна! Встроенное выращивание языка C

5.Если вы занимаетесь разработкой Интернета, запомните следующие чиповые компании!

6.Пример: управление полетом на дроном четырех ротора с помощью микрокомпьютера STM32.

Отказ от ответственности: Эта статья перепечатана, авторские права принадлежат первоначальному автору. Если проблема авторского права участвует в работе работ, пожалуйста, свяжитесь с нами, мы будем основываться на предоставленном авторстве.Материал Ming подтверждает авторское право и платит застолья или удаление контента.

Цены на память взлетят до небес из-за конфликта 80-летней давности

Бизнес Техника 19 Июля 2019 11:2019 Июл 2019 11:20 | Поделиться Цены на модули оперативной и флеш-памяти стали расти рекордными темпами. За неделю они поднялись на 15%, и это напрямую связано с конфликтом между Кореей и Японией практически 80-летней давности.

Глобальный рост цен

Модули памяти DRAM и NAND подорожали на 15% всего за неделю, что стало следствием конфликта между Южной Кореей и Японией. Цены поднялись пока лишь на спотовом рынке (рынок, на котором расчет по сделке происходит в течение двух-трех дней с момента заключения договора), на который приходится 10% суммарного объема продаж чипов памяти, однако эксперты не исключают распространения «лихорадки» на весь остальной рынок.

«В случае, если страны продолжат конфликтовать, цены на память будут расти не просто стремительно, а как никогда раньше», — заявил аналитик Марк Ньюман (Mark Newman) из компании Bernstein. По его словам, на Южную Корею приходятся существенные объемы производства модулей памяти: страна играет ключевую роль на этом рынке, однако напрямую зависит от Японии.

Связь Японии и Кореи с чипами памяти

В Южной Корее зарегистрированы и работают компании SK Hynix и Samsung, на которые в общей сложности приходятся 75% поставок всех DRAM-модулей в мире, а также 40-процентная доля рынка NAND-памяти. Чипы используются во многих современных видах техники, включая смартфоны, планшетные и настольные компьютеры, ноутбуки и даже смарт-ТВ.

Конфликт между Кореей и Японией может обернуться для SK Hynix потерей части своей доли рынка памяти

Несмотря на существенный вес на мировом рынке памяти, обе компании сильно зависят от Японии, которая поставляет им необходимое для производства чипов сырье – фоторезистов, фтороводорода и фторированного полиимида. По данным портала WCCFTech, в период с января по май 2019 г. включительно Южная Корея получила из Японии 94% суммарного объема поставок фторированных полиимидов, 92% поставок фоторезиста и приблизительно 44% фтористого водорода.

Причина конфликта

Спор между государствами инициировала Южная Корея: в октябре 2018 г. Верховный суд страны вынес постановление, согласно которому японская компания Nippon Steel обязана выплачивать южнокорейцам компенсацию за принудительный труд в период Второй мировой войны (в те годы Корея была единым государством – раскол на Северную и Южную произошел в 1948 г.). Японская сторона с решением суда не согласилась, назвав его «немыслимым», и сославшись на то, что этот вопрос страны решили более полувека назад. Действительно, проблему принудительного труда во время Второй мировой войны Южная Корея и Япония решили в 1965 г., когда между ними были налажены дипломатические связи.

Причины, заставившие Верховный суд Южной Кореи вынести свой вердикт относительно дела многолетней давности, остались неизвестными. Ответ на это Япония подготовила к лету 2019 г: в начале июля 2019 г. она ужесточила ограничения на экспорт высокотехнологичных материалов в Южную Корею. В перечень материалов, попавших под ограничение, попали как раз фторированный полиимид (используется в дисплеях смартфонов и планшетов), а также фоторезист и фтористый водород, применяемый для травления в полупроводниковом производстве, так необходимые Samsung и SK Hynix.

Станет ли госсектор драйвером развития российского рынка BI

Интеграция

Несмотря на небольшое количество пунктов в перечне, ответные меры Японии оказались очень действенными, поскольку эта страна производит 90% мирового объема фоторезиста и фторированного полиимида, а также 70% фтороводорода. Другими словами, у Южной Кореи возникли серьезные трудности с поиском других поставщиков.

Между тем, текущие условия, предъявленные Японией, не подразумевают полный запрет на экспорт перечисленных материалов – речь только об ограничениях на него. Японские экспортеры теперь вынуждены получать разрешение на отправку материалов в Южную Корею, а на это, согласно японским законам, требуется около 90 дней.

Ситуация на рынке изменилась

Рынок памяти, как DRAM, так и NAND, в течение первого полугодия 2019 г. переживал не лучшие времена – цены на чипы падали ввиду перепроизводства и низкого спроса, обусловленного торговой войной между США и Китаем. Эксперты прогнозировали рекордный спад цен на оперативную и флеш-память в III и IV кварталах 2019 г., вплоть до того, что компании должны были начать работать себе в убыток.

Споры Южной Кореи и Японии могут изменить ситуацию на рынке. Снижение объемов производства на фабриках SK Hynix и Samsung позволит распродать скопившиеся на складах излишки чипов, даже на фоне низкого спроса. Эксперты пока не говорят о возможном дефиците модулей памяти, но он тоже может отразиться на росте цен. Все это может повлечь удорожание современных гаджетов, компьютеров и носителей информации.

Создание печатных плат методом фоторезиста без ламинатора в домашних условиях

Здравствуй, дорогой читатель! Сегодня я расскажу о том, как в домашних условиях можно изготовить качественную печатную плату методом фоторезиста. Данный способ несколько более трудо- и ресурсозатратен по сравнению с методом ЛУТ, однако позволяет получить более детализированные платы с более мелкими элементами. Сам я полностью перешёл на этот метод, отказавшись от ЛУТ, и ни капли не жалею.

Должен сразу сказать, что я в этом деле пока начинающий, но получаемый результат мне всегда нравится. Если есть полезные замечания, буду рад прочитать их в комментариях.

Подготовка рисунка платы

Для начала, нам необходимо иметь собственно рисунок платы, которую мы будем изготавливать. Можно добывать готовые платы в интернете, можно развести их в популярной программе Sprint Layout, однако я сам пользуюсь китайским бесплатным проектом EasyEDA. Он удобен тем, что содержит огромную библиотеку электронных компонентов, в том числе тех, что были добавлены пользователями, а также возможностью автоматически провести дорожки на плате на одном или нескольких слоях меди.

Для примера будем изготавливать плату для самодельного семисегментного индикатора на два разряда, использующего SMD светодиоды. Плата на рисунке ниже разведена с помощью автоматического трассировщика. Заметна некоторая несимметричность, но в данном случае это не главное, главное — функциональность!

Плата индикатора часов

После того, как рисунок платы закончен, его необходимо экспортировать и распечатать. Для печати на плёнке для дальнейшего изготовления платы методом фоторезиста (см. ниже) необходимо верхний слой печатать зеркально, а нижний — как есть. Так как для нашей платы SMD компоненты находятся на верхнем слое и дорожки соответственно разведены на нём же, экспортируем рисунок в зеркальном виде. Не забываем, что для фоторезиста нужна распечатка «Белое на чёрном», так как уберутся в конце концов те участки, где есть тонер (чернила). Для изготовления плат методом ЛУТ всё наоборот — «Чёрное на белом», так как тонер при использовании метода ЛУТ защищает те участки, что в конце концов останутся.

Экспортируем рисунок платы в PDF (получается хорошее качество), настройки показаны на рисунке. Пробуйте экспериментировать с настройками, некоторые могут вам пригодится. Также следует обратить внимание на то, что картинка нам нужна зеркальная, зачем — увидим позже.

Экспорт платы в PDF

Печать рисунка

Распечатываем рисунок любым удобным способом. Я использую Adobe Photoshop — привычка, к тому же можно отрезать излишки и гибко настроить печать. Обязательно нужно печатать в масштабе «как есть», или 100% от оригинального файла, сгенерированного EasyEDA.

Распечатка рисунка платы в Adobe Photoshop

Печатаем в максимальном доступном разрешении, в наилучшем доступном качестве. Если принтер цветной, то необходимо печатать только чёрным цветом.

Настройки принтера

Получаем нашу маску для дальнейшей экспозиции.

Готовая маска

Дам также некоторые советы касательно печати. Распечатывать рекомендую на струйном принтере, так как печка лазерного принтера заметно раскаляет плёнку, на которой ведётся печать, и вызывает коробление. Даже если это не заметно глазу, для каких-нибудь многоногих микросхем это может оказаться критичным. В любом случае, для принтера, который вы будете использовать для печати, необходима соответствующая плёнка. Для струйного принтера — плёнка для струйной печати, для лазерного — для лазерной печати. Я использую самую дешёвую из доступных в моём городе плёнку, даже самоклеющуюся, но для изготовления плат это не имеет значения. Должен сказать, что именно на этой плёнке качество печати далеко не лучшее, поэтому планирую после этой упаковки взять что-то покачественнее.

Самоклеящаяся плёнка для струйной печати

Подготовка текстолита

Теперь примемся за сам текстолит. Используем любой доступный односторонний текстолит, в моём случае — старый советский текстолит, подаренный знакомым слесарем. Вполне подойдёт и китайский, с ним работать даже попроще.

Вырезаем куски нужного нам размера любым удобным способом. Небольшие платы я обычно вырезаю лобзиком, эти же порезал на древней пневматической гильотине с большим припуском.

Вырезанные из текстолита заготовки

На фото выше видно, насколько грязная омеднённая поверхность. Для работы это совершенно не годится.

Аккуратно шкурим поверхность мелкой наждачкой (800, 1000, 1500, 2000, в зависимости от того, что есть в наличии и от терпения) до металлического блеска, но важно не переусердствовать — слой меди довольно тонкий! После этого поверхность необходимо обезжирить. Ацетона для этого будет недостаточно, отлично подойдёт чистящая паста с ПАВами, типа «Ризаклин», а также обычный стиральный порошок. Я смешиваю его с небольшим количеством воды и энергично втираю эту суспензию в поверхность меди. На фото ниже видно, как сходит грязь, а также как вода скатывается в капли на неочищенной поверхности. После промываем платы водой и медную поверхность пальцами больше не трогаем!

Процесс очистки

Результат налицо. На обезжиренной поверхности вода растекается тонкой плёнкой.

Очищенные заготовки

Самое время подготовить фоторезист. Я использую самый доступный китайский (ссылка), вы можете использовать любой доступный, но необходимо учесть, что в данной статье описываются процедуры для щёлочерастворимого фоторезиста, отверждаемого ультрафиолетом.

Китайский фоторезист

Хранить фоторезист необходимо в месте, защищённом от света, чтобы он не затвердел раньше времени. Небольшие кусочки можно вкладывать в книгу, а для рулона я использую изобретение, показанное на фото ниже.

Тёмная капсула для фоторезиста

Экспозиция платы

Фоторезист с обеих сторон покрыт защитной плёнкой. Вырезаем кусок нужного размера (чуть больше заготовки платы), аккуратно отделяем защитную плёнку с одной стороны и сразу клеим на ранее обезжиренную медную поверхность, если есть ламинатор. Однако, ламинатора может и не быть, как у меня, поэтому сначала наносим на поверхность меди слой смеси изопропилового спирта и воды в соотношении 1:1. Затем наклеиваем фоторезист, стараясь размещать его от краёв к центру, чтобы в середине не скапливался пузырь, и сильно прокатываем его чем-нибудь от краёв к центру. Очень удобно использовать для этого валик переноса заряда из картриджа лазерного принтера. Затем промакиваем излишки раствора салфеткой и обрезаем излишки фоторезиста. Спирт слегка растворяет поверхность фоторезиста, отчего тот очень хорошо приклеивается к обезжиренной меди. Способ помогает ничуть не хуже, чем прокатка через ламинатор. Результат на фото.

Плата с «сырым» фоторезистом

Для экспозиции нам потребуется источник ультрафиолетового излучения. Весьма удобно использовать лампу для сушки гель-лака — она имеет закрытую конструкцию и таймер. Также нам понадобится тонкое стекло. Накладываем на плату с наклеенным фоторезистом маску (обязательно краской к меди, для чего мы и печатаем маску в зеркальном отражении), и кладём сверху стекло. Ставим сверху лампу и включаем её на определённое время (определяется экспериментально), в моём случае — 90 секунд. Обязательно следим, чтобы ничего не сместилось.

Всё готово для экспозиции

Подготовка к травлению

Результат на фото ниже. Теперь необходимо отлепить оставшуюся защитную плёнку. Можно сделать это как есть, но намного проще сделать это с небольшой хитростью.

Результат экспозиции

Отправляем наши заготовки на 10 минут в самый холодный отсек морозилки. После этого защитная плёночка может местами начать отходить сама, останется ей немного помочь.

Заготовки в морозилке

После удаления защитной плёнки необходимо избавиться от неэкспонированного фоторезиста. Для этого погружаем заготовку в тёплый раствор кальцинированной соды (я готовлю на глаз). Затем нежно трём кисточкой, мягкой щёточкой или пальцем (в перчатках!). Заканчиваем после того, как на всех неэкспонированных участках покажется чистая медь. Долго в растворе соды держать не советую — может начать отклеиваться фоторезист.

Растворение лишнего фоторезиста

Затем сушим наши заготовки. Результат на фото ниже.

Очищенные заготовки

Перед травлением желательно осмотреть заготовки на предмет наличия затвердевшего фоторезиста там, где его быть не должно. Необходимо механически счистить его, например, кончиком ножа. На фото ниже видны маленькие вкрапления из-за не очень качественной печати маски. Я их счищаю скальпелем.

Изъяны от печати

После осмотра наступает время травить заготовки. Можно делать это раствором хлорного железа — это довольно эффективный традиционный способ. Я же использую раствор, состоящий из 3% перекиси водорода, лимонной кислоты и поваренной соли, в соотношении 20 : 5 : 1. Погружаем плату в раствор и через некоторое время наблюдаем появление пузырьков. Это говорит о том, что началась химическая реакция. Для лучшего травления также желательно покачивать ванночку с раствором или перемешивать раствор каким-нибудь ещё способом.

Признаки химической реакции

Раствор также окрашивается в бирюзовый цвет. После прекращения признаков реакции проверяем все вытравленные участки — не должно остаться лишней меди. Если есть непротравленные участки — оставляем в растворе ещё на некоторое время.

Травление закончено

Затем нам необходимо удалить фоторезист. Для этого хорошо подходит ацетон. Просто заливаем плату ацетоном и помогаем ему кисточкой или щёткой.

Отмываем фоторезист

Лужение платы

Когда фоторезист отмыт, перед лужением платы нам нужно впервые оценить работоспособность будущей платы. С помощью мультитестера с пищалкой (или в режиме измерения сопротивления) проверяем, нет ли «сросшихся» участков. Если где-то есть замыкание, разделяем его ножом или скальпелем или счищаем тонким надфилем.

Платы ожидают лужения

Для лужения будем использовать сплав Розе — у него температура плавления 96 градусов, что позволяет нам лудить платы под слоем кипящей воды. Также понадобится миска, очень желательно алюминиевая или эмалированная, и силиконовая лопатка.

Необходимые принадлежности

Кипятим воду вместе со сплавом Розе.

Сплав Розе в воде

Мне понадобилась посуда побольше. Помещаем плату в кипящую воду, медью к сплаву Розе. Для того, чтобы сплав Розе смачивал медь, нужно добавить в раствор щепоть лимонной кислоты. Кипятим плату до тех пор, пока сплав не покроет абсолютно всю медь. Затем, придерживая плату под водой, переворачиваем её и лопаткой с усилием счищаем излишки сплава Розе обратно в воду. На плате должен остаться слой в несколько десятых долей миллиметра.

Кипячение платы

Достаём платы, промываем и обезжириваем их, как было описано ранее. Даём просохнуть, и теперь они готовы для нанесения паяльной маски.

Лужёные платы

Делаем паяльную маску

Паяльную маску распечатываем так же, как и рисунок платы. В EasyEDA выбираем для этого соответствующий MaskLayer, верхний или нижний, в зависимости от слоя, на котором разводили дорожки. Галочки с самой схемы и шелкографии перед экспортом нужно не забыть снять. На фото ниже распечатка для паяльной маски.

Шаблон для паяльной маски

Наклеиваем на плату фоторезист. Аккуратно совмещаем распечатанные точки с пятаками на плате и прижимаем стеклом. Экспонируем ультрафиолетом так же, как и для рисунка дорожек на плате.

Экспозиция паяльной маски

Снова закидываем платы в морозилку и снимаем защитную плёнку.

Почти готовая маска

Остаётся растворить остатки неэкспонированного фоторезиста с пятаков. Снова аккуратно трём нужные участки в растворе кальцинированной соды до тех пор, пока не останется чистый металл.

Растворение лишнего фоторезиста

Полюбуемся на наши платы.

Почти готовые платы

Остаётся только просверлить отверстия в необходимых местах. Можно использовать для этого любой подходящий инструмент. Я использую самодельную сверлилку из 12В моторчика и цангового зажима.

Готовые платы

Таким способом можно изготавливать довольно детализированные платы практически любой сложности, для SMD и сквозного монтажа. При достаточно аккуратной печати масок и их аккуратном совмещении при экспонировании можно изготавливать двусторонние платы.

Готовая плата поближе

Надеюсь, данная статья окажется для Вас полезной. Ваши пожелания и замечания можете оставлять в комментариях внизу. А я постараюсь изготовить что-нибудь интересное и написать новые статьи в ближайшее время!

Отчет

по мировой и китайской индустрии фоторезистов, 2019-2025 гг. С участием 14 мировых и 10 китайских поставщиков фоторезистов

ДУБЛИН, 7 августа 2019 г. / PRNewswire / — Отчет «Обзор мировой и китайской индустрии фоторезистов, 2019–2025 гг.» Был добавлен к предложению ResearchAndMarkets.com.

Фоторезист, незаменимый материал для печатных плат, плоских дисплеев, оптоэлектронных устройств, среди прочего, продолжает увеличиваться в размерах на фоне высокого спроса со стороны секторов переработки и сбыта.В 2018 году мировой рынок фоторезистов составил около 8,7 миллиарда долларов, увеличившись по сравнению с аналогичным периодом прошлого года на 5,7%, из которых доля фоторезистов для печатных плат, ЖК-дисплеев и полупроводников составила в совокупности 70,8%.

В настоящее время мировой рынок фоторезистов прочно монополизирован такими транснациональными гигантами, как JSR, TOK, DOW, Fujifilm, Shin-Etsu Chemical, Dongjin Semichem, Merk и Eternal Materials. В частности, четыре игрока, включая JSR, TOK, DOW и Fujifilm, вместе владели более 70% рынка в 2018 году.

Развитые страны, а именно Япония, Германия и США, занимают львиную долю, по крайней мере, 60% мирового рынка фоторезистов, оставляя Китай далеко позади. Несмотря на рост рынка, китайский фоторезист по-прежнему сильно зависит от импорта. В 2018 году китайский рынок фоторезистов составил около 7,28 млрд юаней, что составляет 12,1% от общемирового показателя.

В данном случае местные китайские компании активно разрабатывают продукты из фоторезистов, чтобы заменить импорт, и ведущими из них являются Kempur Microelectronics Inc., Shenzhen Rongda Photosensitive Science & Technology Co., Ltd., Shanghai Phichem Material Co., Ltd., Jiangsu Kuangshun Photosensitivity New-Material Stock Co., Ltd., Zhejiang Yongtai Technology Co., Ltd. и New East New Materials Co. ., Ltd.

В настоящее время на китайском рынке преобладают четыре вида высококачественных фоторезистов, в том числе g-line, i-line, KrF и ArF, где g-line и i-line появились на свет, а поставки осуществляются. подъем; KrF уже прошел сертификацию, но все еще находится на критической стадии; и фоторезист ArF надеется совершить прорыв и пройти сертификацию в 2020 году.

В глобальном отчете по промышленности фоторезистов и Китае за 2019-2025 годы подчеркивается следующее:

Мировая промышленность фоторезистов (размер рынка, конкурентная среда, основные страны и регионы)
Китайская промышленность фоторезистов (размер рынка, спрос и предложение, импорт и экспорт, конкурентоспособные образцы и т. Д.)
Анализ рынка фоторезиста для печатных плат, фоторезиста для ЖКД и полупроводникового фоторезиста
14 мировых и 10 китайских поставщиков фоторезистов (эксплуатация, производство фоторезистов и т. Д.)).

Ключевые темы:

1 Обзор фоторезиста
1.1 Концепции
1.1.1 Фоторезист
1.1.2 Специальные химикаты для фоторезиста
1.2 Технологический процесс
1.3 Отраслевая сеть

2 Мировой рынок фоторезиста
2.1 Размер рынка
2.2 Конкурентный ландшафт
2.3 Главный Страны / регионы
2.3.1 Япония
2.3.2 США
2.3.3 Германия

3 Китайский рынок фоторезиста
3.1 Обзор
3.1.1 История развития
3.1.2 Размер рынка
3.1.3 Уровень локализации
3.2 Спрос и предложение
3.2.1 Объем производства
3.2.2 Спрос
3.2.3 Импорт и экспорт
3.3 Модель конкуренции
3.3.1 Корпоративная конкуренция
3.3.2 Региональная конкуренция
3.4 Потенциал развития

4 Фоторезист для печатных плат
4.1 Рынок печатных плат
4.1.1 Размер рынка
4.1.2 Отраслевая цепочка
4.2 Фоторезист для печатных плат
4.2.1 Размер рынка
4.2.2 ключевые компании

5 Фоторезист ЖКД
5.1 ЖКД
5.1.1 Размер рынка
5.1.2 Отраслевая цепочка
5.2 Фоторезист ЖКД
5.2.1 Состояние рынка
5.2.2 Фоторезист CF
5.3 Ключевые компании

6 Полупроводники Фоторезист
6.1 Рынок полупроводников
6.1.1 Размер рынка
6.1.2 Отраслевая цепочка
6.2 Полупроводниковый фоторезист
6.2.1 Обзор
6.2.2 Размер рынка
6.2.3 Ключевые компании

7 Основные мировые компании по производству фоторезистов
7 .1 Tokyo Ohka Kogyo
7.1.1 Профиль
7.1.2 Эксплуатация
7.1.3 Производство фоторезиста
7.2 JSR
7.2.1 Профиль
7.2.2 Эксплуатация
7.2.3 Производство фоторезиста
7.3 Shin-Etsu Chemical
7.3.1 Профиль
7.3.2 Эксплуатация
7.3.3 Производство фоторезиста
7,4 Dow Chemical
7.4.1 Профиль
7.4.2 Эксплуатация
7.4.3 Производство фоторезиста
7.5 Fujifilm
7.5.1 Профиль
7.5.2 Эксплуатация
7.5.3 Производство фоторезиста
7,6 Sumitomo Chemical
7.6.1 Профиль
7.6.2 Эксплуатация
7.6.3 Фоторезист Бизнес
7.7 Merck
7.7.1 Профиль
7.7.2 Эксплуатация
7.7.3 Фоторезист Бизнес
7.8 Вечные материалы
7.8.1 Профиль
7.8.2 Эксплуатация
7.8.3 Фоторезистовый бизнес
7.9 Dongjin Semichem
7.9.1 Профиль
7.9.2 Фоторезистовый бизнес
7.10 Kumho Petrochemical
7.10.1 Профиль
7.10.2 Эксплуатация
7.10.3 Фоторезистный бизнес
7.11 Everlight Chemical
7.11.1 Профиль
7.11.2 Эксплуатация
7.11.3 Бизнес по производству фоторезиста
7.12 Hitachi Chemical
7.12.1 Профиль
7.12.2 Эксплуатация
7.12.3 Бизнес по фоторезисту
7.13 AsahiKasei
7.13.1 Профиль
7.13.2 Эксплуатация
7.13.3 Бизнес по фоторезисту
7.14 Chimei
7.14.1 Профиль
7.14.2 Бизнес по производству фоторезистов

8 Ключевые китайские компании по производству фоторезистов
8.1 Changzhou Tronly New Electronic Materials Co., Ltd.
8.1.1 Профиль
8.1.2 Эксплуатация
8.1.3 Производство фоторезиста
8.1.4 Стратегия развития
8.2 Zhejiang Yongtai Technology Co., Ltd.
8.2.1 Профиль
8.2.2 Эксплуатация
8.2.3 Бизнес фоторезиста
8.3 Shanghai PhiChem Material Co., Ltd.
8.3.1 Профиль
8.3.2 Эксплуатация
8.3.3 Производство фоторезистов
8.4 Kempur Microelectronics Inc.
8.4.1 Профиль
8.4.2 Фоторезисторы
8.5 Suzhou Crystal Clear Chemical Co., Ltd (SCCC)
8.5.1 Профиль
8.5.2 Эксплуатация
8.5.3 Suzhou Ruihong Electronic Chemical Co., Ltd.
8.6 Shenzhen RongDa Photosensitive Science & Technology Co., Ltd.
8.6.1 Профиль
8.6.2 Эксплуатация
8.6.3 Бизнес по фоторезистам
8.7 Другое
8.7.1 Weifang Suntific Microelectronic Materials Co., Ltd.
8.7.2 Beijing Asahi Electronic Materials Co., Ltd. (BAE)
8.7.3 Xuzhou B&C Chemical Co., Ltd.
8.7.4 Shanghai Sinyang Semiconductor Materials Co., Ltd.

Для получения дополнительной информации об этом отчете посетите https: // www.researchchandmarkets.com/r/ydudla

Research and Markets также предлагает услуги Custom Research, обеспечивающие целенаправленное, всестороннее и индивидуальное исследование.

Контактное лицо для СМИ:

Исследования и рынки
Лаура Вуд, старший менеджер
[адрес электронной почты защищен]

Для работы в офисе EST звоните + 1-917-300-0470
Для бесплатного звонка в США / Канаду + 1-800-526-8630
для офиса по Гринвичу Часы работы Звоните + 353-1-416-8900

Факс в США: 646-607-1907
Факс (за пределами США.С.): + 353-1-481-1716

ИСТОЧНИКИ Исследования и рынки

Ссылки по теме

http://www.researchandmarkets.com

(PDF) НАУКА КИТАЙ Химия Анализ дегазации фоторезистов молекулярного стекла под действием EUV-излучения

это около 10 мас.% PAG.

3.4 Образец литографии

На основании результатов дегазации мы выбрали FPT-8Boc +

PAG (5 мас.% FPT-8Boc) + TOA (10 мас.% PAG) в качестве фоторезиста

для литографии.На рисунке 6 показан его SEM-образец

литографии. Разрешение этого фоторезиста достигает 32

нм, а шероховатость по ширине линии (LWR) составляет менее 2,5 нм.

Все результаты показывают, что фоторезист с относительно низким газовыделением

обладает очень хорошими характеристиками в тографии.

4 Выводы

Устройство было разработано и собрано для оценки газоизлучения фоторезистов

при воздействии EUV.QMS была

использовалась для сбора данных о повышении давления в системе и

для газов, выделяющих газ. Количества дегазации и средние скорости

фоторезистов MG были рассчитаны на основе уверенного повышения давления

. Из сравнения дегазации фоторезистов

с различными компонентами можно сделать вывод

, что TOA может предотвратить диффузию кислоты и уменьшить дегазацию

фоторезистов MG. Сравнение

концентраций t-Boc, PAG и TOA показывает, что уменьшение количества t-Boc и PAG

может уменьшить выделение газов.Оптимальная концентрация ТОА составляет

около 10 мас.% ПАГ. Кроме того, на основании изучения выделяющихся газов

подтверждено, что выделение газов происходит в основном на

из защитной группы t-Boc. Каркас тетра-

фенилтиофена был очень стабильным без выделения газа при воздействии EUV

. Сегмент скелета соединений MG

Рисунок 6 СЭМ-картина фоторезиста (FPT-8Boc + PAG (5 мас.%

FPT-8Boc) + TOA (10 мас.% PAG)).

, не содержащий слабой связи, может уменьшить газовыделение. Фоторезист

с относительно низким газовыделением может быть хорошим кандидатом

для EUV литографии с высоким разрешением.

Эта работа финансировалась Национальным фондом естественных наук

Китая (21373240, 91123033, 21233011) и Национальным крупным проектом науки и технологий Китая

(2011ZX02701).

1 О’Салливан Дж., Килбейн Д., Д’Арси Р. Последние достижения в разработке источников для литографии в экстремальном УФ-диапазоне.J Mod Opt, 2012, 59:

855–872

2 Киношита Х., Ватанабе Т., Харада Т., Нагата Ю. Последние действия по литографии в крайнем ультрафиолете

в NewSUBARU. Jpn J Appl Phys,

2013, 52: 06GA01

3 Hyun Y, Seo K, Kim K, Lee I, Lee B, Koo S, Lee J, Kim S, Kim S,

Kim M, Kang H. Анализ дефектов маски EUV от маски до пластины

печать. Proc SPIE, 2013, 8679: 86790G

4 Wu B, Kumar A. Экстремальная ультрафиолетовая литография: обзор.J Vac

Technol B, 2007, 25: 1743–1761

5 Gallatin GM, Naulleau P, Brainard R. Фундаментальные ограничения фоторезиста EUV

. Proc SPIE, 2007, 6519: 651911

6 Итани Т., Кодзава Т. Материалы и процессы резиста для экстремальной ультрафиолетовой литографии

. Jpn J Appl Phys, 2013, 52: 010002

7 Итани Т. Исчерпывающий обзор материалов резиста EUV и их обработки на селете. J Photopolym Sci Technol, 2011, 24: 111–118

8 Yu J, Xu N, Liu Z, Wang L.Новые однокомпонентные химически усиленные фоторезисты молекулярного стекла типа i-line

позитивного тона. Приложение ACS

Mater Interfaces, 2012, 4: 2591–2596

9 Ян Д., Чанг С.В., Обер СК. Молекулярные фоторезисты стекла для продвинутой литографии AD-

. J Mater Chem, 2006, 16: 1693–1696

10 Tsuchiya K, Chang SW, Felix NM, Ueda M, Ober CK. Литография

на основе молекулярных стекол. J Photopolym Sci Technol, 2005, 18:

431–434

11 Li L, Zhang HY, Liu Y.Управляемые самосборки трин-каликс [4] ареновых пар -циклодекс-

. Sci China Chem, 2012, 55: 1092–1096

12 Pollentier I, Lokasani R, Gronheid R. Оценка проблем в

EUV: сопротивление выделению газов и определение характеристик загрязнения. J Photo-

polym Sci Technol, 2012, 25: 609–616

13 Takahashi T, Sugie N, Katayama K, Takagi I, Kikuchi Y, Shiobata E,

Tanaka H, Inoue S, Watanabe T., Hatada T. , Киношита Х. Resist out-

характеристика газовыделения для квалификации в области литографии высокой мощности EUV-

raphy.Proc SPIE, 2012, 8322: 83221E

14 Pollentier I, Lokasani R, Gronheid R, Hill S, Tarrio C, Lucatorto T.

Взаимосвязь между выделением газа, связанным с сопротивлением, и загрязнением образца

при оценке выбросов NXE с использованием электронов и

EUV. Proc SPIE, 2013, 8679: 86790K

15 Ян GQ, Xiong L, Chen L, Xu J, Wang SQ, Li SY. Обнаружение экспонирования

Устройство и метод обнаружения фоторезистов в крайнем ультрафиолете (EUV).

Патент КНР, 201210113099.7. 2012-04-16

16 Ян Г.К., Чен Л., Сюй Дж., Ван С.К., Ли Си. Молекулярное стекло фоторе-

состоит из тетрафенилфурана, тетрафенилпиррола, тетрафенилти-

офена и пятикомпонентного фенилпиридина в качестве ядер. Патент КНР,

2012100707 13.6. 2012-03-16

17 Кодзава Т., Тагава С. Радиационная химия в химически усиленных резистах

. Jpn J Appl Phys, 2010, 49: 030001

18 Santillan JJ, Kobayashi S, Itani T. Количественный анализ выделения газов

крайних ультрафиолетовых резистов.Jpn J Appl Phys, 2008, 47: 4922–4925

19 Ho GH, Shao CH, Sung JJ, Kang FH, Kao CB, Hung WL. Outgas-

и фотохимические исследования светочувствительных пленок при облучении при 13,5 нм. J Vac Technol B, 2012, 30: 0516020

photo-resist — Перевод на китайский — примеры английский

Эти примеры могут содержать грубые слова, основанные на вашем поиске.

Эти примеры могут содержать разговорные слова, основанные на вашем поиске.

Контурирование или профилирование подложки 19 предпочтительно выполняется на фоторезисте в первом варианте осуществления.

在第一实施例中，基质 19 的成形或仿形优选在光阻材料上进行。
В первом предпочтительном варианте источником энергии является лазер, выбранный для профилирования подложки 19 фоторезиста .
在第一优选实施例中，能源为激光，选择对光阻基质 19 进行仿形。
Металлическое покрытие, фотомаски из полупроводника, травитель, фоторезист и пены для пожаротушения.
电镀、半导体遮光膜、蚀刻剂、 光阻剂 和消防泡沫。
Фоторезист и антибликовые покрытия для полупроводников
Это включает в себя все, от фоторезиста до бихромированного желатина, пластика или майлара или даже металлической подложки.
这包括从光阻材料到重铬酸盐明胶、塑料或聚酯薄膜的任何材料，甚至是金属基质。
1978 Большая машина для нанесения покрытий на фоторезист (плоские дисплеи)
1978 年，大型光刻旋涂机（平板显示器）
Хотя для схемы удвоения частоты идеальная толщина слоя 320 материала, образующего разделитель, такая же, как ширина элементов маски 312 из фоторезиста из фоторезиста , начальная заданная ширина может потребоваться немного больше, чтобы компенсировать процесс травления, используемый для последующего нанесения рисунка на слой 320 материала, образующего разделитель.
对于频率加倍方案，间隔物形成材料层 320 的理想厚度与光刻胶模板掩模 312 的特征的宽度相等，但是宽度可能需要稍宽以图案化间隔物材料层 320 的刻蚀工艺。
Устройство, которое покрывает фоторезист одинаковой толщины.
В фоторезисте и антибликовых покрытиях для полупроводников сообщалось о технологии, свободной от ПФОС, однако по причинам конфиденциальной деловой информации химический состав альтернативного фоторезиста раскрыть не удалось.
体的 光阻剂 和防反射出现了无需全氟辛烷的技术，但是由于的的需要尚不能公开
Способ по п. 1, отличающийся тем, что метод фотолитографии выполняется путем экспонирования, проявления, очистки и сушки после нанесения на пленку материала фоторезиста .
3 权利要求 1 或 2 的方法，其中，在将光刻胶材料涂敷于膜上之后，清洗和干燥进行 述光刻法 。
Гораздо более сложные данные могут быть записаны в виде миниатюрных узоров на подложках с покрытием из фоторезиста , одним из таких примеров является узор, используемый для печатных схем.
［0004］性高的数据可以 光阻涂 敷基质上的微型图案的形式书写其中一个例子是的图案形成。
Япония видит опасность в американском центре производства микросхем, чтобы противостоять Китаю
Микроконтроллер японского производителя микросхем Renesas Electronics Corp изображен в штаб-квартире компании в Токио 28 мая 2012 года. REUTERS / Yuriko Nakao
Япония опасается, что Китай, США будут доминировать в мировом производстве микросхем
Будущее отрасли — проблема национальной безопасности
Надежды на создание азиатского центра обработки данных для стимулирования спроса
Конкуренты, поддерживающие промышленность с десятками миллиардов долларов
ТОКИО, 18 августа (Рейтер) — Япония обеспокоена тем, что U.Планы С. вложить миллиарды долларов в производство микросхем для защиты от Китая могут покончить с тем, что осталось от японской полупроводниковой промышленности, которая когда-то доминировала в мире.
После «трех потерянных десятилетий», по данным министерства промышленности Японии, доля страны в мировом производстве микросхем упала с половины до десятой из-за утечки клиентов к более дешевым конкурентам и неспособности сохранить лидерство в передовом производстве.
Поскольку Китай и Соединенные Штаты, движимые торговой войной и соображениями безопасности, наращивают поддержку производства чипов, на которых работает все, от смартфонов до ракет, официальные лица опасаются, что Япония будет полностью вытеснена.
«Мы не можем просто продолжать то, что делали, мы должны делать что-то на совершенно другом уровне», — сказал бывший премьер-министр Синдзо Абэ своим коллегам по правящей партии ЛДП в мае на первом партийном собрании, чтобы обсудить, как в стране может быть ведущей цифровой экономикой.
Иллюстрируя опасения Японии остаться в стороне от нового технологического мирового порядка, в документах, распространенных Министерством экономики, торговли и промышленности в начале этого года, была показана жирная красная пунктирная линия над гистограммой, указывающая на возможность нулевой доли отрасли в производстве микросхем. 2030 г.
Серьезную озабоченность вызывает будущее ведущих мировых фирм страны, которые поставляют производителям микросхем такие изделия, как кремниевые пластины, химические пленки и производственное оборудование.
Должностные лица опасаются, что, заманив на свою территорию азиатских гигантов по производству микросхем, таких как тайваньская компания Semiconductor Manufacturing Co Ltd (2330.TW) (TSMC), Соединенные Штаты могут склонить эти фирмы последовать их примеру.
«Компании могут строить в Японии и экспортировать их, но чем ближе вы будете в качестве поставщика, тем лучше, тем легче будет обмениваться информацией», — сказал Кадзуми Нисикава, директор ИТ-индустрии в METI.
Хотя сдвиг может произойти не сразу, «он может произойти в долгосрочной перспективе», — сказал он.
Компании, о которых беспокоит Нисикава, включают производителей пластин Shin-Etsu Chemical (4063.T) и Sumco Corp (3436.T), поставщика фоторезиста JSR Corp (4185.T), а также производителей производственного оборудования Screen Holdings (7735.T) и Tokyo Electron. (8035.T).
«Мы всегда готовы реагировать на изменения политики в каждой стране», — сказал представитель компании JSR, которая производит светочувствительные фоторезистивные покрытия, используемые для гравировки чипов в Японии, Бельгии и США.
На вопрос агентства Reuters ни одна из компаний не сообщила, что в настоящее время планирует перенести производство в США.
TECH WAR
Чтобы сохранить их, Японии нужны литейные предприятия по производству микросхем, которые будут покупать их пластины, оборудование и химикаты, а также будут обеспечивать стабильные поставки полупроводников для автомобильных компаний и производителей электронных устройств.
TSMC, которая стремится к расширению за рубежом на фоне опасений по поводу потенциальной уязвимости своих операций на Тайване для территориальных амбиций материкового Китая, создала центр исследований и разработок недалеко от Токио.Он также рассматривает план строительства завода по изготовлению в Японии.
Однако его крупнейшее иностранное предприятие на сегодняшний день — это завод стоимостью 12 миллиардов долларов, который он строит в Аризоне, США.
Стремясь не отставать в технологической гонке, правительство премьер-министра Ёсихидэ Суги в июне одобрило стратегию, разработанную командой Нисикавы в METI, чтобы обеспечить Японию достаточным количеством микросхем для конкуренции в технологиях, которые будут стимулировать экономический рост в будущем, включая искусственный интеллект, высокоскоростное соединение 5G и беспилотные автомобили.
Одна из инициатив — превратить Японию в азиатский центр обработки данных. Такие концентраторы создают огромный спрос на полупроводники, что, в свою очередь, побуждает производителей микросхем строить заводы поблизости.
РАСХОДНАЯ ПОДДЕРЖКА
Однако успех его промышленной политики будет зависеть от денег.
На данный момент страна выделила 500 миллиардов иен (4,5 миллиарда долларов) на укрепление цепочек поставок технологий, чтобы помочь компаниям справиться с нехваткой чипов и других компонентов во время пандемии коронавируса и способствовать переходу на 5G.
Это лишь небольшая часть расходов, предлагаемых другими странами.
«При нынешнем уровне поддержки это непросто для полупроводниковой промышленности Японии, и нам нужны правительственные стимулы, сопоставимые с другими в мире», — говорится в электронном письме Японской ассоциации производителей электроники и информационных технологий (JEITA).
Сенат США одобрил закон о выделении 190 миллиардов долларов государственных средств на новые технологии, включая 54 миллиарда долларов на чипы, в то время как Европейский Союз планирует потратить 135 миллиардов евро (159 миллиардов долларов) на развитие собственной цифровой экономики.
Чтобы сравнять эти расходы, Японии пришлось бы выделить большие суммы государственных денег, которые седеющая нация могла бы в противном случае потратить на здоровье и благосостояние. METI еще не сказала, сколько, по его мнению, ему нужно.
«Учитывая финансовое положение Японии, будет трудно сравниться» с США, ЕС и Китаем, бывший министр экономического возрождения Акира Амари и лидер группы ЛДП, стремящейся «снова сделать Японию номером один», — сказал Рейтер.
(1 доллар = 0,8485 евро)
(1 доллар = 110.3400 йен)
Отчет Тима Келли; дополнительные репортажи Такаши Умекавы и Бена Бланшара; редактирование Ричарда Пуллина
Наши стандарты: принципы доверия Thomson Reuters.
• Китай: объем производства фоторезиста в 2021 году
• Китай: объем производства фоторезиста в 2021 году | Statista
Другая статистика по теме
Пожалуйста, создайте учетную запись сотрудника, чтобы иметь возможность отмечать статистику как избранную.Затем вы можете получить доступ к своей любимой статистике через звездочку в заголовке.
Зарегистрируйтесь сейчас
Пожалуйста, авторизуйтесь, перейдя в «Моя учетная запись» → «Администрирование». После этого вы сможете отмечать статистику как избранную и использовать персональные статистические оповещения.
Аутентифицировать
Сохранить статистику в формате.Формат XLS
Вы можете загрузить эту статистику только как премиум-пользователь.
Сохранить статистику в формате .PNG
Вы можете загрузить эту статистику только как премиум-пользователь.
Сохранить статистику в формате .PDF
Вы можете загрузить эту статистику только как премиум-пользователь.
Показать ссылки на источники
Как премиум-пользователь вы получаете доступ к подробным ссылкам на источники и справочной информации об этой статистике.
Показать подробные сведения об этой статистике
Как премиум-пользователь вы получаете доступ к справочной информации и сведениям о выпуске этой статистики.
Статистика закладок
Как только эта статистика будет обновлена, вы сразу же получите уведомление по электронной почте.
Да, сохранить в избранное!
… и облегчить мне исследовательскую жизнь.
Изменить параметры статистики
Для использования этой функции вам потребуется как минимум Одиночная учетная запись .
Базовая учетная запись
Познакомьтесь с платформой
У вас есть доступ только к базовой статистике.
Эта статистика не включена в в вашем аккаунте.
Единая учетная запись
Идеальная учетная запись начального уровня для индивидуальных пользователей
Мгновенный доступ от до 1 млн статистики
Скачать в форматах XLS, PDF и PNG
Подробные ссылки
$ 59 39 $ / месяц *
в первые 12 месяцев
Корпоративный аккаунт
Полный доступ
Корпоративное решение, включающее все функции.
* Цены не включают налог с продаж.
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Самая важная статистика
Дополнительная статистика
Узнайте больше о том, как Statista может поддержать ваш бизнес.
NetEase и AskCI Consulting. (27 сентября 2021 г.). Объем производства фоторезиста в Китае с 2016 по 2020 год с расчетом на 2021 год (в 1000 метрических тонн) [График]. В Statista. Получено 13 ноября 2021 г. с сайта https://www.statista.com/statistics/1271063/china-production-volume-of-photoresist/
NetEase, und AskCI Consulting. «Объем производства фоторезиста в Китае с 2016 по 2020 год с расчетом на 2021 год (в 1000 метрических тонн)». Диаграмма. 27 сентября 2021 года. Statista.По состоянию на 13 ноября 2021 г. https://www.statista.com/statistics/1271063/china-production-volume-of-photoresist/
NetEase, AskCI Consulting. (2021 г.). Объем производства фоторезиста в Китае с 2016 по 2020 год с расчетом на 2021 год (в 1000 метрических тонн). Statista. Statista Inc. Дата обращения: 13 ноября 2021 г. https://www.statista.com/statistics/1271063/china-production-volume-of-photoresist/
NetEase и AskCI Consulting. «Объем производства фоторезиста в Китае с 2016 по 2020 год с расчетом на 2021 год (в 1000 метрических тонн).»Statista, Statista Inc., 27 сентября 2021 г., https://www.statista.com/statistics/1271063/china-production-volume-of-photoresist/
NetEase & AskCI Consulting, Объем производства фоторезиста в Китае с 2016 г. до 2020 г. с оценкой на 2021 г. (в 1000 метрических тонн) Statista, https://www.statista.com/statistics/1271063/china-production-volume-of-photoresist/ (последнее посещение 13 ноября 2021 г.)
Поверхность Настройка смачиваемости фоторезиста на акриловой смоле и его характеристик старения
Abstract
Фоторезист — ключевой материал при создании микрорельефов или микроструктур.Регулировка смачиваемости поверхности пленки фоторезиста является критическим фактором при ее применении в микрофлюидике. В этой работе систематически изучались регулировка смачиваемости поверхности фоторезиста акриловой смолы кислородной плазмой или ультрафиолетом / озоном, а также его характеристики старения в различных атмосферах. Химические и физические характеристики поверхностей до и после модификации показывают резкое уменьшение группы C – C и увеличение шероховатости поверхности для обработки кислородной плазмой, в то время как уменьшение группы C – C было обнаружено для обработки УФ / озоном.Вышеупомянутое различие в механизме настройки поверхности может объяснить более сильный эффект гидрофильной модификации кислородной плазмы. Кроме того, мы обнаружили очевидное ослабление эффекта настройки смачиваемости со скоростью старения, связанной с окружающей средой, что также может быть связано с уменьшением группы C – C. Это исследование демонстрирует преобладающие химические и физические изменения во время настройки смачиваемости поверхности и процесса ее старения, а также обеспечивает основу для настройки поверхности и применения в микрофлюидике.
Ключевые слова: фоторезист , угол смачивания, настройка смачиваемости, старение
1. Введение
Существуют особые требования к смачиваемости твердых поверхностей во многих областях, включая биологические процессы [1,2], мембраны [3,4 ], очистка сточных вод [5], коррозионная стойкость металла [6,7], разделение [8], поглощение [9], чистота [10], датчик [11] и т.д. барьер для предотвращения коррозии алюминия [6]; термопласты микрофлюидного устройства должны быть достаточно гидрофильными, чтобы избежать абсорбции гидрофобных соединений в процессе культивирования клеток [1].Поверхность пиксельной стенки электросмачиваемого дисплея должна быть достаточно гидрофильной, чтобы закрепить границу раздела масло / вода [12]. Сообщается о множестве различных методов (химических, физических и биологических) для достижения гидрофильной или гидрофобной модификации твердых поверхностей [4,13], таких как этерификация, ферментативная обработка, привитая сополимеризация [13] плазма, УФ / озон [13] ], и покрытие или осаждение гидрофильного или гидрофобного материала [4,14].
Плазменная обработка — мощный способ достижения гидрофильных или гидрофобных свойств полимерных поверхностей.Атмосферы плазмы [15] для достижения гидрофильных свойств включают O ₂ [16,17,18], N ₂ [19], Cl ₂ [20], Ar [21,22], Ar / O _{. 2} [23], Ar / N ₂ [23] и O ₂ / H ₂ [24], а атмосферы для гидрофобной обработки включают CF ₄ [25], SF ₆ [ 26] и Ar / SF ₆ [23]. Среди этих атмосфер кислородная плазма чаще используется для формирования гидрофильных полимерных поверхностей для достижения повышенной смачиваемости [27] и улучшенной адгезии [28], используемых в микрофлюидных устройствах [1,15], биологических областях [29] и так далее.За исключением традиционных полимеров [16,21,22,27,28,29], фоторезист, как широко используемый материал в микропроизводстве, очень требует гидрофильных или гидрофобных модификаций, о чем сообщается в нескольких сообщениях [30,31,32].
Ультрафиолет / озон (УФ / озон) — еще один широко используемый метод для достижения гидрофильной активации на поверхностях полимеров или неорганических материалов [33,34] из-за высоких окислительных свойств УФ-энергии и озона [35]. При увеличении времени воздействия УФ / озона поверхность многих полимеров становится все более гидрофильной [36,37].Поскольку плазма и УФ / озон являются двумя часто используемыми методами лечения для достижения поверхностных гидрофильных свойств, исследователи даже обращают внимание на их сравнение. В обзоре Sham было обнаружено, что обработка УФ / озоном мягче, чем кислородная плазма, из-за высокой кинетической энергии кислородной плазмы [38]. Однако для сравнения требуются дополнительные системные исследования, чтобы помочь в выборе настройки смачиваемости.
При использовании в микрофлюидике или других областях следует обращать внимание на стабильность гидрофильных поверхностей полимеров, полученных обработкой плазмой или УФ / озоном, из-за гидрофобного восстановления со временем [39,40,41].Как сообщается, низкая температура хранения и низкая влажность благоприятны для гидрофильной стабильности [19]. Влажность может влиять на скорость старения из-за усиленной диффузии макромолекул, включая присоединенные окисленные группы, в то время как в сухом воздухе кажется, что только переориентация функциональных групп происходит в слое порядка нескольких нанометров [42,43]. Точно так же температура играет важную роль в процессе старения из-за более быстрой молекулярной диффузии при более высокой температуре [19,44].Между тем, уровень лечения влияет на процесс старения. Например, поверхность полимера с коротким временем воздействия УФ / озоном достигает почти полного гидрофобного восстановления, в то время как наблюдается медленное и неполное восстановление для образцов с длительным временем воздействия [41,45]. Во время изучения механизма процесса старения некоторые исследователи соглашаются с механизмом миграции или переориентации [46,47,48], который включает переориентацию поверхностных гидрофильных групп в сторону от поверхности или миграцию обработанных полимерных цепей из от поверхности к массе и миграции необработанных полимерных цепей из объема к поверхности.
Фоторезист — важный вид материала для создания микрорельефов или микроструктур [1], которые предъявляют особые требования к смачиваемости при применении. Сообщалось, что кислородная плазма успешно гидрофильно модифицирует эпоксидный фоторезист SU-8 [30,31,49]. Однако кислородная плазма является сильным методом модификации с эффектом травления [49] и может влиять на механические или другие свойства микроструктур фоторезиста. Следовательно, в этой статье кислородная плазма и УФ / озон обрабатывают поверхность фоторезиста из акриловой смолы, чтобы обеспечить возможности настройки смачиваемости для различных применений.За исключением характеристик гидрофильной модификации, стабильность смачиваемости во время старения поверхности акрилового фоторезиста также сравнивается при обработке кислородной плазмой и УФ / озоном, в то время как атмосфера хранения включает воздух и воду, которые играют важную роль в сроке службы применений. Следовательно, углы смачивания воздух / вода использовались для характеристики изменения гидрофильных свойств в зависимости от времени обработки и уровня стабильности смачиваемости в зависимости от времени хранения. Чтобы изучить механизм процессов модификации и восстановления, химические и физические изменения во время обработки были охарактеризованы с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и атомно-силового микроскопа (AFM) соответственно.
2. Экспериментальная часть
2.1. Химические вещества и материалы
Стекло с покрытием из оксида индия и олова (ITO, 25 нм) толщиной 0,7 мм и сопротивлением 100 Ом / кв. Было закуплено у Guangdong Jimmy Glass Technology, Ltd. (Фошань, Китай) и использовалось в качестве подложки. Фоторезист на акриловой смоле (резист HN) был приобретен у Suntific Materials Ltd. (Вэйфан, Китай). Вода UP (18,2 МОм · см) использовалась в качестве капли воды без дополнительной очистки, полученной с помощью лабораторной системы очистки воды (Ultrapure UV, Hitech Instruments Co., Ltd., Шанхай, Китай).
2.2. Подготовка и модификация поверхности фоторезиста
На влажную пленку фоторезиста нанесли покрытие центрифугированием (SC100, Best Tools, LLC., Сент-Луис, Мичиган, США) с последующим процессом предварительного обжига на горячей плите (Eh30B, LabTech , Пекин, Китай) с 110 ° C и 2,5 мин. Процесс экспонирования проводился с использованием инструмента для выравнивания (URE-2000/35, Институт оптики и электроники Китайской академии наук, Чэнду, Китай). После выпечки после выдержки при 110 ° C и 2.5 мин на горячей плите, а затем запекание при 150 ° C и 30 мин в духовке (SFG-01B, Huang Shi Hengfeng Medical Instrument Co. Ltd., Хуанши, Китай), приготовление пленки фоторезиста было завершено.
Гидрофильная обработка поверхности фоторезиста проводилась с использованием аппарата реактивного ионного травления (РИЭ) (ME-6A, Институт микроэлектроники Китайской академии наук, Пекин, Китай) с кислородной плазмой (интенсивность 100 Вт) или ультра -система очистки от фиолетового / озона (УФ / озон, T10X10 / OES / E, UVOCS INC., Lansdale, PA, USA) УФ-светом 254 и 185 нм.
Затем поверхности фоторезиста погружали в воздух или в водную атмосферу, чтобы наблюдать поверхностное гидрофобное восстановление с течением времени. Температура хранения составляла 22,8 ° C ± 0,6 ° C при влажности 52% ± 3%.
2.3. Измерение угла смачивания
Для измерения угла смачивания воздух / вода использовали систему измерения угла смачивания (Powereach, Shanghai Zhongchen Digital Technology Apparatus Co., Ltd., Шанхай, Китай).Здесь воздух был выбран в качестве фазы атмосферы, а вода была внутренней каплей во время измерения. Причем объем капли воды для каждого измерения составлял 5 мкл.
2.4. Физическая шероховатость и химические характеристики
Атомно-силовой микроскоп (AFM, Cypher, Asylum Research, Санта-Барбара, Калифорния, США) использовался для измерения шероховатости поверхностей фоторезиста после обработки кислородной плазмой или УФ / озоном и шероховатости после гидрофобного восстановления на воздухе. (или в воде) со временем.
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS, ESCALAB 250Xi, Thermo Fisher, Waltham, MA, USA) использовалась для анализа химического состава поверхностей фоторезиста после обработки кислородной плазмой или УФ / озоном и после гидрофобного восстановления на воздухе (или в воде). ) с течением времени. Глубина обнаружения составляла около нескольких нанометров.
新闻中心 — 昂诺盛新材料有限公司
Хотя Китай стал крупным производителем полупроводников в мире, общая производственная цепочка индустрии панелей все еще относительно отстала.В настоящее время большая часть высококачественных электронных химикатов (смолы для ЖК-дисплеев) зависит от импорта. Необходимо ускорить фундаментальные исследования и индустриализацию основных материалов в производстве панелей, чтобы поддержать будущее развитие китайской индустрии микроэлектроники и установить международный «статус».
Цветная пленка содержит меньше фоторезиста и не дает красивых изображений.
Дисплей — важный интерфейс для общения людей с машиной.Фоторезист — важная часть всего процесса литографии и один из самых эффективных микроэлектронных химикатов в мире. Он в основном используется в производстве интегральных схем и плоских дисплеев. Литография определяет интеграцию интегральных схем и ведет к развитию и внедрению технологических узлов.
В нашей повседневной работе и жизни мы можем видеть красочное изображение на экране дисплея, потому что не можем обойтись без слоя цветной пленки толщиной всего 2 мкм на экране, но 16% стоимости панели. .Однако цвет цветной пленки должен воспроизводиться фоторезистом.
ЖК-дисплей является неактивным светоизлучающим устройством. Цветной дисплей должен обеспечиваться собственной системой подсветки или внешним окружающим светом. Полутоновый дисплей формируется драйвером и контроллером, а цветные фильтры используются для генерации трех основных цветов: красного, зеленого и синего. Принцип формирования цветного дисплея.
Среди них, в зависимости от цвета, фоторезист можно разделить на четыре типа: черный, красный, зеленый и синий.Цветной фильтр изготавливается путем нанесения черного фоторезиста на стеклянную подложку, чтобы сформировать черную матрицу, а затем нанесения красного, зеленого и синего фоторезиста для получения трех пикселей основного цвета.
Ключ к разработке фоторезиста состоит в том, что его состав сложен, а технологический процесс сложно освоить. Основными компонентами фоторезиста являются полимерная смола, цветная паста, мономер, фотоинициатор, растворитель и добавки. Технические проблемы, связанные с разработкой фоторезиста, многочисленны.Его необходимо определить и оптимизировать на основе конструкции структуры и скрининга олигомеров, а также оптимизации и активности процесса синтеза. Регулируются скрининг и контроль мономеров, контроль и стабилизация тонкости цветовой пасты, разработка и оптимизация рецептуры продукта, оптимизация и стабильность процесса производства продукта, согласование условий конечного использования и регулировка широты. Поэтому самостоятельно разрабатывать и производить очень сложно.
К разработке фоторезиста Китай начал поздно и обратил внимание после 2000 года.В последние годы, несмотря на быстрое развитие, общая ситуация все еще находится в зачаточном состоянии. На самом деле, уровень технологического процесса сильно отличается от уровня зарубежных компаний, особенно современные материалы и оборудование по-прежнему зависят от импорта.
Техпроцесс сложно пробить, отечественные компании подчинены людям
Существует множество причин отставания от международного продвинутого уровня.В прошлом, из-за планирования и развития отрасли интегральных схем в Китае, компоновка была необоснованной и неполной, особенно с инвестициями в тяжелое производство и переработку, игнорируя при этом наиболее важные базовые материалы, оборудование и прикладные исследования. В настоящее время вся отрасль сильна в области промежуточной обработки, а передняя и задняя части — слабые. Основная технология была монополизирована японскими компаниями, такими как TOK, JSR, Sumitomo Chemical и Shin-Etsu Chemical.

Основными техническими показателями фоторезиста являются разрешение, время проявления, количество инородных тел, адгезия и импеданс. Каждый технический индикатор важен и должен быть соблюден, прежде чем можно будет использовать все индикаторы. Поэтому иностранные компании давно блокируют Китай с точки зрения рецептуры, технологий производства и так далее.
Фактически, Китай полагается на свой собственный опыт из-за отсутствия опыта, нехватки профессионального и технического персонала, а также отсутствия ключевого сырья для разведки и добычи.В последние годы, несмотря на прорыв в разработке фоторезистов, отечественные фоторезисты все еще не используются. В настоящее время внешнее сопротивление достигло более 15 степеней, в то время как отечественные предприятия могут достичь только 10 мощностей, что не может удовлетворить требования клиентов к процессам и модернизации продукции. Некоторые процессы соответствуют стандарту, но стабильность партии оставляет желать лучшего.
Необходимо провести фундаментальные исследования, правительству следует обратить внимание на поощрение применения тяги
Фоторезист, который может сделать экран дисплея цветным, по-прежнему остается «болью» китайской полупроводниковой промышленности.Как сломать блокаду и монополию таких стран и регионов, как Европа, Америка и Япония?
Представители отрасли считают, что в соответствии с нынешним курсом исследований и разработок, проводимым «в одиночку», конечно же, нет. Соответствующие правительственные ведомства должны усилить поддерживающую поддержку промышленной политики и начать с ускоренного совершенствования всей производственной цепочки и расслоить ключевые основные электронные химические вещества, которых не хватает в отечественной промышленности и которые имеют высокую промышленную зависимость.Необходима разработка электронных химикатов с высокой сложностью и требованиями к испытательному оборудованию. Благодаря своим высоким характеристикам, организация объединяет несколько успешных предприятий и экспертов в промышленный альянс. Штат создает демонстрационную платформу для производства и применения и концентрируется на прорыве некоторых ключевых технологий.

Некоторые эксперты предположили, что, хотя отечественные фоторезисты нельзя использовать в панелях высокого класса, правительству все же необходимо поощрять отечественных производителей обычных панелей использовать их как можно скорее.Только в процессе подачи заявки мы можем найти проблемы, решить проблемы, постоянно улучшать уровень технологий, процессов и продуктов, реализовать локализацию ключевых электронных химических материалов в Китае, улучшить производственную цепочку китайских интегральных схем и удовлетворить потребности страна и ключевые отрасли.
Национальный научно-технический проект специального фоторезиста для экстремального ультрафиолета прошел приемку
24 мая Национальный научно-технический проект «Крупномасштабное крупномасштабное оборудование для производства интегральных схем и полный процесс» (далее именуемый «Крупный специальный проект 02») организовал группу экспертов по принятию задач и группу экспертов по финансовой приемке 02 главный спецпункт «Ультрафиолет» По проекту гравировальных материалов и технологии лабораторных испытаний произведена приемка заданий и финансовая приемка.
Участвующие эксперты заслушали отчет руководителя проекта и руководителя проекта о завершении проекта и проекта, отчет об испытаниях тестовой группы, отчет о финансовых результатах и т. Д., А также проанализировали данные приемки. После тщательного обсуждения участвующие эксперты единогласно согласились с тем, что проект прошел приемку.
В Плане национального среднесрочного и долгосрочного плана развития науки и технологий (2006-2020 гг.) Определяется ряд приоритетных тем в ключевых областях, дополнительно делается акцент на национальных целях и выбираются некоторые основные стратегические продукты, ключевые общие технологии или основные проекты.Крупные проекты, стремление к прорывам и стремление к скачкообразному развитию производительности с частичным скачком в технологическом развитии.
Специальный проект «Экстремально крупномасштабное оборудование для производства интегральных схем и полный процесс» (02 Специальный проект) «Исследование материалов из фоторезиста с экстремальным ультрафиолетовым излучением и лабораторных испытаний технологий» Института химии Китайской академии наук, Института физики и химии Китайской академии Наук, Пекинская компания Kehuawei Electronic Materials Co., ООО обязуется совместно.
После усилий всех членов проектной группы были завершены процесс проектирования, подготовки и синтеза основных материалов фоторезиста EUV, состав рецептуры и подготовка фоторезиста, а также предварительная оценка характеристик лабораторного фоторезиста. Показатели оценки материалов и оборудования указаны в книге. В рамках проекта подано 15 патентов на изобретения (в том числе 5 международных).На данный момент он получил 10 авторизованных патентов (в том числе 3 международных).
Участвующие эксперты полностью подтвердили научно-исследовательские достижения проекта, отметив, что разработка фоторезиста EUV имеет стратегическое видение. После нескольких лет усилий членов проектной группы задача НИОКР была успешно завершена и соответствовала требованиям в журнале задач проекта. Индикаторы; создала группу исследований и разработок в области высококачественного фоторезиста, оказывая поддержку талантам для стабильного развития индустрии полупроводниковых интегральных схем в Китае.
В своем выступлении соответствующее лицо, ответственное за Институт физики и химии Китайской академии наук, и ответственное за проект подразделение Китайской академии наук выразили искреннюю благодарность экспертной группе за поддержку, оказываемую научно-исследовательской группе фоторезистов. много лет. Исследования и разработки высокотехнологичных электронных химикатов в Китае находятся в периоде быстрого развития. Завершение этого проекта станет важной гарантией стабильного развития полупроводниковой промышленности Китая.Есть надежда, что исследованиям и разработкам высококачественного фоторезиста будет оказана постоянная поддержка. Поощряйте команду НИОКР продолжать свои усилия по использованию преимуществ проектирования и подготовки в области специальных материалов, чтобы внести свой вклад в развитие полупроводниковой промышленности Китая.
Ответственный персонал и эксперты крупных специальных проектов Министерства науки и технологий, Пекинской городской комиссии по экономическим и информационным технологиям, Основного специализированного управления 02, Основного специализированного отдела 02 и Основного специализированного отдела 02, а также соответствующих подразделений.